RCD04数据传输速率最高可达 7200MT/s,较上一代产品提升超12.5%。通过采用新的电源管理架构和信号处理技术,该芯片在实现更高传输速率的同时,优化了功耗表现,并增强了信号完整性。

随着人工智能推理市场的快速发展,业界对能够迅速、高效处理海量数据的NAND闪存产品的需求正大幅攀升。为此,SK海力士将建立‘AIN(AI-NAND)Family’产品组合,以专为人工智能时代进行优化的解决方案产品,全面满足客户的多样化需求。

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正如CFM闪存市场分析,基于服务器应用包括NAND、DRAM在内的产能分配优先,手机嵌入式存储供应较为有限,预计四季度mobile NAND、LPDDR4X/5X等产品全面延续涨价行情。

长电科技第三季度营业收入100.64亿元,同比增长6.03%;净利润4.83亿元,同比增长5.66%。前三季度营业收入286.69亿元,同比增长14.78%;净利润9.54亿元,同比下降11.39%;基本每股收益0.53元。

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据CFM闪存市场最新报价,1Tb QLC 涨 8.33% 至 $6.50,1Tb TLC 涨 7.46% 至 $7.20,512Gb TLC 涨 14.29% 至 $4.80。

郭鲁正表示,他认为明年的存储器行业不会糟糕,SK海力士将像今年一样,努力保持对明年的希望。

基于与 NVIDIA 五年的合作,美光率先在数据中心使用低功耗服务器内存。

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与之相对应的是,英特尔即将发布的 Panther Lake 和 Wildcat Lake 平台均使用第五代 NPU(NPU5)。

数据显示,韩国今年1-9月半导体出口额累计已达1197亿美元,同比增长16.9%。2024年,韩国半导体出口额为1419亿美元。

JESD328 预计将支持完整的 LPDDR5X 数据速率,即在平台信号完整性允许的情况下达到每引脚 9.6 Gb/s,数据传输速度高达9,600 MT/s,高于SOCAMM 1的8,533 MT/s。LPDDR5/5X 内存设备的使用降低了系统能耗和冷却要求,这是高效处理大数据的关键特性。

朱宪国指出,AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲,使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品,排挤利基型DRAM产能,带动价格走扬;SLC NAND在韩厂减产下,第三季也有涨价;NOR Flash受惠AIoT应用需求增加,带动需求,价格同步上扬。

为了构建下一代数据中心,Arm还推出了一项新的“全面设计”计划。该计划支持企业基于 Arm IP快速开发定制半导体 (ASIC)。

《TIME》评价指出,佰维Mini SSD成功打破了性能与便携性之间的壁垒,是应对“设备日益轻薄、数据持续激增”这一行业挑战的典范之作,为AI终端生态的发展提供了关键支撑。

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目前,江波龙这项创新产品已完成开发、测试,并申请了国内外相关技术专利,处于量产爬坡阶段。

焦佑钧进一步分析,市场的热点仍在AI,DDR4只是落后指标,真正要观察的是AI需求热潮能延续多久。因现阶段三大原厂都在全力满足AI相关需求,这股热潮造成的产能排挤效应,让一般应用市场供应吃紧,但最终仍会回归供需平衡。

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