为了更好地为美光在增长更快的细分市场中的大型战略客户提供供应和支持,美光做出了艰难的决定,终止Crucial消费业务。
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因应市场需求热度,南亚科技已陆续将部分产能转回DDR4,市场预期第四季涨势仍有双位数百分比。南亚科技对于第四季营运持续乐观。
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近日,佰维特存重磅推出TGQ200系列,搭载 PCIe Gen4x4接口+ NVMe2.0协议的高性能架构,容量覆盖 512GB-4TB。产品融合 -40℃~85℃ 宽温适应、过压过流防护、数据保护与 S.M.A.R.T 智能监测等多重可靠性设计。
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据业内人士透露,三星内部正在讨论将30-40%的1a DRAM产能转换为10nm级第五代 (1b) DRAM。如果将成熟工艺线(例如1z)的转换投资也算进去,三星将确保每月额外获得8万片(基于晶圆)的 1b DRAM 产能。
今年迄今为止,全球半导体设备出货量已接近1000亿美元,创下前三个季度的历史新高。强劲的人工智能需求持续推动先进逻辑与存储芯片领域投资,同时带动了面向能效优化的封装应用投资。
原厂产能被高毛利的HBM、DDR5持续吸纳,传统DDR4以下的产能遭明显排挤,价格一路走高,并外溢至利基型DRAM,晶豪科技产品结构以DDR2、DDR3为大宗。
12月2日晚间,江波龙发布定增预案,拟募资不超37亿元,用于面向AI领域的高端存储器研发及产业化项目、半导体存储主控芯片系列研发项目、半导体存储高端封测建设项目以及补充流动资金。
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此外,三星还在研发速度更快的HBM4变体,目标是将性能提升40%,最早可能将于2026年2月中旬发布。
作为紫光展锐的重要生态伙伴,佰维存储携多款高集成、小型化、高性能的前沿存储方案亮相,包括 ePOP4x、UFS、LPDDR5X、uMCP、Mini SSD 等,为智能穿戴、AI 手机、AI PC、具身智能、AI 教育等场景提供面向端侧 AI 的全场景存储解决方案。
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据业内人士透露,三星电子已将P5的投产日期定在2028年,但鉴于目前的筹备速度,投产日期可能会提前。由于人工智能(AI)的普及,半导体需求迅速增长,三星电子正在寻求快速确保产能。
其中,半导体出口额同比大增38.6%,为172.6亿美元,连续9个月保持增势,并刷新单月最高纪录。今年前11个月半导体累计出口额高达1526亿美元,已超越去年全年(1419亿美元)。
美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建,将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能,且将在2028年6-8月开始出货,2030年3-5月以最大产能进行生产。
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十铨科技目前库存仍稳定在约2-3个月的高水位,以保留支持重点客户与市场的弹性。
在此次组织结构重组中,三星电子DS部门成立了“存储器开发部门”,该部门将统一管辖原存储器事业部下属的DRAM开发室和NAND Flash开发室。
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