此外,与美光合作的HBM后段晶圆制造(PWF)产线已于新竹厂区扩建无尘室,预计2026年第3季开始机台搬入,2026年第4季开始试产,2027第4季进入量产,目标月产能2万片。

三星NAND Flash产能投资计划将在目前正在建设中的平泽P5工厂进行,这将是自P3工厂以来,三星电子首次大规模扩建NAND Flash产线。由于市场低迷,三星此前一直专注于P4工厂的DRAM生产投资。

本次交易设置了明确的业绩承诺:嘉合劲威2026年至2028年累计实现净利润不低于2.34亿元(其中2026年不低于7000万元,2027年不低于7700万元,2028年不低于8700万元)。

据韩媒报道,三星电子已停止接受部分低功耗移动DRAM产品的新订单,受影响的产品包括LPDDR4和LPDDR4X。该公司近期已完成最后一批订单的交付,在完成之前已收到的订单后,相关产品将正式停产。考虑到最终订单的时间安排,LPDDR4和LPDDR4X的生产预计将持续到今年年底。随着库存逐步耗尽,三星预计将转向LPDDR5,生产线可能会从明年第一季度开始改造。

消息称,三星电子HBM4E逻辑芯片采用了与HBM4相同的4nm制程工艺,DRAM仍然是1c DRAM,但采用了新的工艺细节来提升部分性能。

由于HBM4采用多层DRAM垂直堆叠的结构,以超高速运行,因此对于精度的要求远高于通用DRAM。即使单个芯片的良率达到一定水平,在组装成最终的HBM4成品的过程中,良率也可能再次下降。虽然三星电子1c DRAM良率正在稳步提升,但很难保证其在HBM4良率方面已经达到成熟水平。

据韩媒zdnet报道,因英伟达在扩大下一代AI加速器"Vera Rubin"的批量生产方面遇到困难,预计SK海力士面向英伟达的HBM4出货量将较原计划减少约20%~30%,减少的HBM4产能将用于其上一代产品HBM3E以及服务器用DRAM。

三星电子宣布推出新款T7 和T9 microSD存储卡,对其可移动存储产品线进行了重大更新,采用了更清晰的命名策略并提升了性能等级。三星T7 microSD存储卡定位于日常高可靠性扩展存储,提供128GB、256GB、512GB和1TB四种容量选项,最高170MB/s顺序读取速度。T9 microSD存储卡专为高性能应用而设计,提供128GB、256GB和512GB三种容量选项,具备最高200MB/s的读取速度。新品将于2026年4月30日面向消费者发售。

通过此次中标,FADU今年累计中标金额达1447亿韩元,突破1400亿韩元大关,已达到去年全年销售额(924亿韩元)的1.6倍。

预计试点生产线将于下半年建成,并在年底前后投入运营,目标是在2027年实现商业化。

SK 海力士预计将在正在进行 1c DRAM 工艺转换的生产线上部署 EUV光刻机,包括清州 M15X、利川 M16 和龙仁半导体集群一期工厂。

据韩媒报道,三星电子通过在生产过程中应用其自主研发的下一代低温焊接(LTS)技术,成功解决了SOCAMM2的翘曲问题。

4月7日,香农芯创发布2025年度业绩快报,公司营业总收入为352.51亿元,同比增长45.24%;归母净利润为5.44亿元,同比增长106.06%。同日,公司发布2026年一季度业绩预告,预计实现净利润为11.40亿元-14.80亿元,净利润同比增长6714.72%-8747.18%。

据韩媒报道,三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机,为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能,其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产,将同时制造通用内存和HBM。三星电子预计将从2027Q2开始为平泽P5 PH1安装图案化设备,届时该阶段的洁净室施工也将完成,有望在2027年内贡献产能,满足英伟达 "Rubin" 与其它AI XPU的需求,纾解当前DRAM市场的供应紧张态势。

适逢清明节假期,按国家规定放假3天,即2026年4月4-6日放假。放假期间所有产品均暂停报价,4月7日(星期二)所有产品恢复报价。

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