除了良率的提升，三星电子也在大幅提升1c DRAM产能，计划将其1c DRAM产能从去年底的每月6万片晶圆提升至今年下半年的每月20万片晶圆。其现有的DRAM生产线正在被改造为1c生产线，而此次扩建的核心是位于平泽的P4工厂。
美国国防部发布最新的“中国军事企业清单”（CMC清单或1260H清单）。清单显示，长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）已正式被移出，阿里巴巴、百度、比亚迪等各领域龙头企业被新增列入。长江存储早在2024年便成为首批被列入1260H清单的中国NAND厂商，长鑫存储则于2025年初被纳入。需注意的是，美国联邦公报在清单文件发布不到一小时内撤回该份清单文件，但表示公众直至2026年2月17日下班前可通过官方邮箱申请获取原文，文件仍处于公开审查状态，合规风险并未消除。
美光科技正式宣布量产全球首款面向数据中心的PCIe Gen6 SSD——9650 NVMe SSD，该产品以28GB/s的顺序读取速度和550万IOPS的随机读取性能成为目前全球速度最快的数据中心SSD。Micron 9650基于垂直整合架构，采用业界首款应用于数据中心SSD的第九代NAND闪存美光G9 NAND，采用六平面架构，可提供3.6GB/s的IO速率，是目前市售SSD中的最高水平。针对不同应用场景，美光9650 SSD推出9650 PRO和9650 MAX两大系列，提供不同容量支持。
适逢中国农历春节，按国家规定放假9天：2026年2月15日 - 2026年2月23日，放假期间所有产品均暂停报价，2026年2月24日恢复报价。
2026年2月12日，深圳市工信局印发《“人工智能+”先进制造业行动计划（2026—2027年）》，首次将“存算一体”“存内计算”等新型架构处理器纳入重点支持方向，明确面向AI手机、智能机器人、智能汽车等终端，推动高性能SoC主控芯片研发及国产替代。
据韩媒报道，SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉，为实现高堆叠NAND而增加的HARC蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因素。传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻，通过键合工艺连接起来，而AIP可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存进行HARC蚀刻，旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产，预计从下一代NAND闪存（例如V11）开始，HARC工艺的数量和成本将显著降低。
三星目前正在开发 zHBM，其核心是将 HBM 堆叠成 3D 结构，有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。
2月12日，三星电子宣布，其HBM4已抢先开始量产，并向客户交付商用产品。三星的HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度，比业界标准的8Gbps提升约46%，树立了HBM4性能的新标杆。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上，并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后，HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。
当地时间2月11日，美光CFO在Wolfe Research组织的半导体会议上表示，公司已实现HBM4量产，并开始向客户交付。针对近期有关美光HBM4无缘英伟达供应的猜测，美光科技否认三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应量的预期。Mark Murphy进一步表示，美光今年一季度HBM4的出货量正在稳步增长，比去年12月财报发布时提到的时间提前了一个季度。2026年的HBM产量已全部售罄，HBM4的生产良率正按计划进行，其速度超过每秒11Gb。
三星电子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工艺，其数据处理速度超过了JEDEC 标准的8Gbps，最高可达11.7Gbps，比上一代 HBM3E（9.6Gbps）提升22%。单层堆叠的内存带宽也高达3TB/s，比上一代产品提高了2.4 倍，12 层堆叠技术可提供最大 36GB 的容量。未来扩展到 16 层堆叠技术预计可将容量提升至 48GB。其另一大优势在于其低功耗设计，能够在支持高性能计算的同时，显著降低服务器和数据中心的功耗和冷却成本。
十铨科技2025年全年营收突破200亿元，营运规模不断扩大。为积极掌握产业发展契机，十铨已启动扩产计划，并同步规划少量多样的工控及工业电脑相关应用产能配置，逐步扩大产品线矩阵，推进中长期营运布局，提升整体营运动能与韧性。
据韩媒引述业内人士消息称，三星计划下周（农历新年假期后）开始出货HBM4芯片，用于英伟达生产的图形处理器（GPU）。英伟达的GPU广泛应用于生成式人工智能（AI）系统。据悉，三星已通过英伟达的质量认证流程并获得采购订单，生产计划已最终确定，以配合英伟达Vera Rubin的发布计划。
旺宏电子公布2026年1月份营业收入为新台币30.17亿元（约合人民币6.64亿元），较上月合并营收新台币26.32亿元（约合人民币5.79亿元人民币）增长14.6%，较2025年同期合并营收新台币19.93亿元（约合人民币4.38亿元）增长51.4%，延续了此前复苏态势，呈现双成长动能，展现出公司较强的经营韧性与成长潜力。
据韩媒报道，三星电子正在进行最终品质检验以确保2月底前实现HBM4量产出货，但英伟达请求无论测试结果如何先行供货。因AMD、谷歌等竞争对手加速追赶，英伟达开始加速确保HBM4供货。当前，三星电子与SK海力士都在进行HBM4的最终品质测试。分析称，因产品品质已得到一定程度的验证，英伟达遂请求跳过详细测试加急供货。
ZAM采用堆叠式DRAM架构，其性能将超越HBM标准，致力于在需要大规模AI模型训练、推论的数据中心等领域，实现大容量且高频宽的数据处理，并提升处理性能、降低功耗。
CFM预计Q2服务器NAND和DRAM涨幅收敛至50%以内，下半年涨幅将逐季放缓
贸易投机扰乱现货市场，渠道SSD、行业及渠道内存条普遍阴跌
【CFM报告】2026Q1全球存储市场总结与Q2展望