美光公布截至2025年5月29日的FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)业绩，该季营收93亿美元，环比增长15%，同比增长37%；Non-GAAP下，营业利润24.9亿美元，营业利润率由上季度的24.9%回升至26.8%；净利润21.81亿美元，环比增长22.3%，同比增长210.7%。

FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)美光营收创历史新高，这得益于DRAM业务营收创历史新高，其中 HBM 营收环比增长近 50%；数据中心营收同比增长逾一倍，创季度新高；面向消费者的终端市场也实现了强劲的环比增长。美光表示，2025财年有望实现创纪录的营收。

数据来源：美光，图表制作：CFM闪存市场

具体来看：

DRAM收入70.71亿美元，占总收入的76%，环比增长15.5%。DRAM Bit出货量环比增长超20%，DRAM ASP环比下降低个位数百分比（1%-3%）。

NAND收入21.55亿美元，占总收入的23%，环比增长16.2%。NAND Bit出货量环比增长约25%，NAND ASP环比下降高个位数百分比（7%-9%）。

其他业务（主要为NOR）收入7500万美元，占总收入的1%，环比持平。

来源：美光

各事业部具体情况：

· Compute and Networking（CNBU）营收50.69亿美元，环比增长11%，占总收入的54.5%。这一表现主要得益于HBM营收环比增长近50%，同时高容量DRAM和低功耗服务器DRAM业务也有所增长。

· Mobile（MBU）营收15.51亿美元，环比增长45%；源于客户库存水平下降以及DRAM单机容量提升带来的强劲需求。

· Storage（SBU）营收14.51亿美元，环比增长4%；增长主要来自消费级存储产品收入的提升。

· Embedded（EBU）营收12.27亿美元，环比增长20%；工业和消费类嵌入式市场的需求增长提供了主要支撑。

资本开支与库存

FY2025Q3财季(2025年3月- 5月)美光资本支出净额为26.6亿美元，调整后自由现金流为19.5亿美元。美光本季度末持有现金、可流通投资及限制性现金共计122.2亿美元。2025 财年的资本支出仍约为 140 亿美元，重点用于 HBM、设施建设、后端制造和研发投资。

美光正以审慎态度推进全球生产网络投资，确保产能建设与长期需求相匹配：

• 两周前，在特朗普政府支持下，美光宣布将在美国实施总额约2000亿美元的战略投资（含1500亿美元制造投资和500亿美元研发投入），规划周期超20年

• 作为该计划组成部分，美光将追加300亿美元投资，包括：

a.在爱达荷州博伊西市新建第二座尖端存储器晶圆厂；

b.扩建并升级弗吉尼亚州马纳萨斯现有晶圆厂（服务汽车/航天/国防/工业市场）；

c.在美国本土布局先进封装产线，为HBM长期增长计划提供支撑（待本土DRAM晶圆产能达标后实施）。

爱达荷首座晶圆厂（ID1）建设进展：

• 六月再达关键工程节点；

• 预计2027年下半年产出首片DRAM晶圆，后续启动客户认证流程；

• 第二晶圆厂（ID2）将与ID1形成规模协同效应，并依托研发集群实现效率提升与加速量产；

• 为应对预期需求，ID2将早于纽约首座晶圆厂投产；

• 纽约项目待完成州/联邦环评后，将于今年下半年启动地基工程。

该季度末美光库存为87亿美元，库存周转天数为139天，较上季度减少了19天。

数据来源：美光，图表制作：CFM闪存市场

技术进展

美光在1-gamma DRAM技术节点已取得显著进展，其良率提升速度甚至超过了此前1-beta节点创下的纪录。该季度美光完成了多项关键产品里程碑，包括基于1-gamma的LPDDR5 DRAM首批认证样品的出货。

美光1-gamma DRAM采用极紫外光刻（EUV）技术，相比1-beta节点可实现位元密度提升30%，功耗降低20%以上，性能最高提升15%。美光将把1-gamma技术应用于整个DRAM产品组合，充分发挥这一领先技术的优势。

美光的尖端DRAM节点（例如 1 beta 和 1 gamma）专注于最新一代产品，例如 DDR5、LPDDR5 和 HBM。DDR4 和 LPDDR4主要采用1-alpha DRAM 节点生产。美光几个月前已向移动、客户端、数据中心和消费等高容量细分市场的客户发送了DDR4 和 LPDDR4的停产通知，最终发货时间将在两到三个季度后。

短期内，大批量市场的客户开始发现DDR4产品的短缺日益加剧。目前停产过渡正在进行中，美光正在分配剩余的 DDR4 供应。美光计划在未来几年内继续供应这些 1-alpha DRAM 产品，以支持其在汽车、工业、国防和网络等领域长期且需求相对较低的长期客户。美光预计DDR4 收入在 2025 财年下半年的总收入中所占比例仅为个位数（非 GAAP）。由于停产，LPDDR4产品的短缺情况也可能加剧。在DDR4和LPDDR4 供应受限以及分销渠道库存较低的市场背景下，美光正在推动价格改善。

在NAND领域，美光该季度QLC占比创历史新高；基于G9 2Tb QLC NAND的高性能SSD产品已启动认证；G9节点的产能爬坡进度与市场需求保持同步。

终端市场

数据中心

美光预计2025年服务器市场出货量将实现中个位数百分比增长，这主要得益于人工智能服务器的显著增长。

受益于HBM的强劲增长和份额提升，以及美光行业领先的高容量DIMM和低功耗服务器DRAM产品组合的强劲表现，美光第三财季数据中心DRAM收入连续第四个季度创下新高，高容量DIMM和低功耗服务器产品在2025 财年已创造了数十亿美元的营收，与去年同期相比实现了惊人的五倍增长。

美光表示，HBM产能提升和产品开发路线图目前正在顺利进行。HBM3E 12Hi的良率和产量提升进展非常顺利。在本月初AMD Advancing AI活动上，美光宣布美光HBM3E 36GB 12Hi已被设计用于AMD的Instinct MI355X GPU平台，目前正在向四家客户大量出货HBM，涵盖GPU和ASICAI 加速平台。

关于HBM4，美光表示充分利用了其成熟的1-beta DRAM技术，以及内部开发和制造的先进 CMOS逻辑基础芯片，每个内存堆栈可提供超过2.0 TB/s的带宽，性能比上一代产品提升60%以上。HBM4 的扩展接口有助于快速通信和高吞吐量设计，从而加速大型语言模型和思维链推理系统的推理性能。美光已向多家客户交付HBM4 样品，预计将于2026 年实现量产，与客户的计划保持一致。

SSD方面，第三财季，美光数据中心9550高性能固态硬盘位列Nvidia GB200 NVL72 推荐供应商名单，并完成了多家OEM厂商的额外客户认证。美光的9550固态硬盘为AI服务器系统提供了业界领先的性能和节能的第五代 (Gen5) 数据中心存储解决方案。未来美光将继续为更多客户提供认证，并提升6550 ION 60TB容量固态硬盘的收入。

PC

美光预计2025日历年PC市场出货量将实现低个位数百分比增长。在未来几个季度，推动PC市场增长的关键因素包括：人工智能PC的普及率不断提高以及Windows 11的升级周期。

美光始终致力于为PC市场带来差异化的高性能产品，并表示将于当地时间26日发布全新的基于G9 2Tb QLC NAND的高性能SSD，该SSD采用美光专有的自适应写入技术，可将写入性能提高4倍。这项技术扩展了QLC SSD的潜在市场，在大多数消费应用场景中可提供与TLC NAND相当的性能。

Mobile

美光预计2025日历年，智能手机出货量将保持低个位数增长。人工智能的普及仍然是智能手机DRAM容量增长的关键驱动力，预计将有更多智能手机搭载12GB或更大的容量，而目前普通智能手机的容量仅为8GB。

美光专注于为高端智能手机市场提供解决方案，在LPDDR5X DRAM产品中采用领先的1-beta和1-gamma技术节点，以及利用G8和G9技术节点生产的UFS4 NAND产品。本季度，美光开始出货业界首款基于1-gamma节点研发的LPDDR5X内存的认证样品，为2026年的旗舰智能手机提供广泛的容量和业界领先的速度等级。

美光的1-gamma LPDDR5X DRAM旨在加速高端设备中的AI应用，在多种应用场景中提供超过25%的更快推荐速度，同时降低20%的功耗，所有这些都集成在超薄的外形中，非常适合移动设备。

在NAND领域，美光赢得了关键客户的设计订单，并实现了基于G9的UFS4产品的量产。本季度，美光的移动产品组合实力得到了七家智能手机OEM厂商颁发的顶级质量奖项的进一步认可。

汽车和工业市场

美光预计，L2和L3 ADAS功能以及支持AI的车载信息娱乐系统日益普及，将推动内存和存储容量的增长以及更高的带宽需求。

美光凭借其推出的新产品，例如业界首款支持9.6 Gbps高速传输的1-beta双通道LPDDR5 DRAM，已于本季度达到量产状态，从而在汽车市场占据了长期成功的地位。在工业领域，随着客户加大对 AI 应用的投资，包括工厂自动化等关键领域，美光表示该部分的增长正在恢复。

未来展望

美光表示，终端市场的客户库存水平总体保持健康，部分客户可能因关税相关因素而采取了一些措施，客户表示今年剩余时间的需求环境将保持积极，美光也将保持灵活应对宏观环境或不断变化的关税相关形势可能带来的任何不可预见的需求变化。

美光表示2025年HBM已售罄，并预计2026年HBM bit需求增长将“大幅超过”整体 DRAM需求。高效的节点转换将导致2025财年末的NAND晶圆产能较2024财年末的水平结构性下降 10%。鉴于NAND技术转型将显著提高整体bit输出，美光计划以与需求相符的稳健速度管理节点转换。美光强调，尖端 NAND 已得到充分利用，而部分传统 NAND 在产能削减后仍未得到充分利用。

美光预计，2025年行业DRAM bit需求增长率将约达17-19%，而行业NAND bit需求增长率约达11-13%。美光非HBM DRAM和NAND bit供应增长率将低于行业bit需求增长率。

美光预计2025财年第四财季（2025年6-8月）营业收入将达104-110亿美元，毛利率落在41%-43%区间。

来源：美光