据韩媒报道,尽管AI驱动的内存需求加剧了DRAM的供应短缺,但预计三星电子今年下半年的增产速度将低于市场预期。这主要是因为三星电子优先考虑从10nm第五代(1b)工艺向10nm第六代(1c)工艺的过渡,更加注重提高良率而非扩大产量。
平泽产线升级为主,实际产能增速或低于表面数据
知情人士表示,三星电子的基本方针是注重尖端DRAM的良率和生产效率,而不是单纯追求产能扩张,这也是自去年以来,全永铉副会长一直坚持的基本理念。尽管平泽园区一直在稳步进行扩建投资,但以目前生产线的产能来看,大幅提升DRAM产能以满足市场需求存在一定难度。
据了解,三星平泽园区正在进行现有生产线的改造升级,以实现工艺转型。随着部分原本已处于成熟阶段的生产线逐步升级至第六代工艺,预计平泽工厂在三星电子DRAM总产能中的占比将从2025年的49.5%提升至2027年的55.4%。然而,需要指出的是,由于此次产能增长主要来自现有生产线的改造升级,而非新建晶圆厂,因此实际产能扩张速度可能低于表面数据所显示的水平。
华城16/17号线产能持续收缩,12号线改造有望助力DRAM出货
三星在2024年第四季度财报电话会上曾表示,受全球存储市场竞争加剧、传统产品盈利下降影响,宣布计划大幅削减传统DRAM和NAND闪存占比。近三年来,华城16号和17号生产线产能基本停滞甚至下滑。随着传统产品逐步淘汰和用途调整,华城16、17号线的产能增长仍在持续放缓。然而,业内人士指出,华城12号生产线已停止量产2D NAND闪存,并改造为华城15号生产线后端工艺的“末端工厂”,相关工作已于近期完成,预计下半年能助力提高DRAM出货量。
晶圆投入虽缓,但bit产出在涨
不过,也有观点认为,基于晶圆投入量的供应能力与实际市场需求并不完全匹配,主要是因为新型DRAM工艺能够提供更高的单晶圆bit密度。换算成bit产出量后,其实上半年严重的供需失衡的情况在一定程度上得到了缓解。一位业内人士表示,单从晶圆投入量来看,三星电子DRAM的增产速度似乎较慢,但以比特增长衡量,其实际供应能力正在提升。

