三星电子和ASML宣布扩大双方长期战略合作伙伴关系,深化在高数值孔径EUV光刻和先进半导体制造技术方面的合作。双方将在多年成功合作的基础上共同努力,加速开发和部署能够满足先进半导体制造日益增长的性能和效率要求的技术。
三星将加入业界倡议,共同推进下一代12英寸光掩模技术的发展,以用于未来的制造。半导体行业数十年来一直依赖6英寸光掩模,借助高数值孔径极紫外光刻(High NA EUV)技术,向更大尺寸的12英寸光掩模过渡有望进一步提高晶圆厂的生产效率,降低芯片制造成本,并消除拼接限制。这将使先进芯片制造商能够充分利用高数值孔径极紫外光刻技术的优势,从而使未来几代尖端芯片更具成本效益。
凭借在存储器和晶圆代工制造领域的领先地位,以及在先进极紫外光刻技术方面的丰富经验,三星将在12英寸光掩模技术的转型升级中发挥关键作用。
三星还计划在2028年前率先在业界率先将ASML的高数值孔径(High NA)极紫外(EUV)光刻技术应用于未来的DRAM大规模生产。高数值孔径EUV有望扩展DRAM的尺寸缩放路线图,其更高的分辨率将简化工艺流程并提高效率。

