三星HBM4提前4个月拿下“黄金良率”,HBM4E研发进程稳定

存储器 网络 M 2026-08-10 14:28

HBM4良率飙升至80%,较原定时间提前4个月

据韩媒援引业内人士消息,尽管今年2月三星HBM4量产初期良率一度跌破60%,近期其良率已接近80%。业内此前普遍预期,三星要到今年年底才能实现这个良率 ,但随着下半年量产规模的显著提升,工艺改进的速度远超出预期,提前约4个月完成。

良率快速爬升的关键因素是三星电子的“一致应对(交钥匙)系统”。三星电子从芯片设计阶段起,便将内部存储器、晶圆代工和先进封装部门整合为“一体化团队”,在速度、功耗和发热三大核心指标上同步进行协同优化。这种一体化的协同效应帮助三星克服了此前被视为高良率的最大挑战“热压非导电薄膜(TC-NCF)”工艺瓶颈。

下半年HBM销量将激增,年底市场份额目标直指38%

据悉,在半导体制造领域,80%的良率常被称为“黄金良率”,是量产成熟的标志,不仅能够通过最大限度地降低缺陷率来最大化利润,还能确保稳定供应客户所需的产量。

良率站稳高位,三星的市场策略也随之转向积极。在第二季度财报电话会议上,三星电子表示,今年第三季度HBM4销量将环比增长超两倍,下半年HBM4销量将超过HBM总销量的60%。据透露,公司内部已设定目标,力争在年底前将HBM市场份额拉升至与DRAM整体市占率(约38%)相近的水平。

HBM4E良率超七成,研发进程进入稳定期

此外,三星电子6月下旬在内部业务简报中透露,HBM4E可靠性测试的良率已超过70%,且在下一代10nm级第七代(D1d)DRAM工艺中已取得领先优势。在量产前的可靠性测试阶段即突破七成良率,意味着研发进程已实质性进入稳定期。

据悉,三星电子已于5月下旬向主要客户交付12层HBM4E芯片样品,该芯片将是英伟达预计明年发布的下一代AI加速器“Rubin Ultra”的关键组件。

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