根据OPPO商城消息，今天下午2:30一加12将正式发布，据悉其官网预约人数已经突破35万。
核心配置上，一加12首批搭载高通骁龙8 Gen3移动平台，李杰表示，在一加与高通的深度联合调校下，一加12的性能更强大，可以超越全部同平台Pro级产品，成为性能王者。
另外，该机首发采用国产2K东方屏，由一加和京东方联合打造，这块东方屏峰值亮度可达4500尼特，是目前行业毫无悬念的最高水平。
据韩媒援引业内人士消息报道称，三星电子计划今年第 3 季度向主要服务器和数据中心客户交付基于 CXL 3.1 规范的 CMM-D 内存模块样品，最早今年四季度量产。与上代 CXL 2.0 规范的 CMM 内存模块相比，CXL 3.1 CMM-D 的每通道传输速率翻倍，这意味着系统可从 CXL 附加内存处获得更大的内存带宽，提升整体运行效率。
部分存储厂商4月通过竞价方式，成功获取环比上月价格更低的原厂LPDDR4X资源，有效摊薄了成品成本。但从需求端来看，近期市场买气持续疲弱，即便上述具备成本优势的厂商主动下调成品报价，客户仍多以观望为主，成交意愿不强，低成本优势在当前低迷的需求环境下，未能有效转化为实际出货量，本周多数LPDDR4X价格小幅调降。
LPDDR：LPDDR4X 64Gb 跌 2.91% 至 $100.00，LPDDR4X 48Gb 跌 3.75% 至 $77.00，LPDDR4X 32Gb 跌 6.67% 至 $56.00；
eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 跌 4.82% 至 $79.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 跌 4.40% 至 $87.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 跌 2.70% 至 $108.00；
uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 跌 4.30% 至 $89.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 跌 2.65% 至 $110.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 跌 2.21% 至 $133.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 跌 1.84% 至 $160.00。
在近半年多的时间里，存储价格暴涨正逐渐挑战行业客户的可承受价位，甚至目前高价行业存储产品已超过特定应用场景的客户承受区间，部分PC客户降容明显，DDR4产品中8GB等低容量产品应用居多。基于此前囤积的较低价的次级资源，行业厂商在仍有一定利润基础上具备较大的价格调整空间，加上个别竞争者竞价出货造成的压力犹存，本周行业8GB DDR4内存条价格缓跌。近期原厂NAND资源官价坚挺微涨且控货力度渐强，行业SSD价格相对较稳。
内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 8GB 3200 跌 3.53% 至 $82.00。
尽管五一假期后，渠道贸易端抛货拉踩动作明显减少，甚至存储股市的狂热风吹到了渠道市场，部分贸易商继上月出逃抽离后，基于当前价格处于近两个月的较低水位又重拾备货信心，渠道品牌SSD及内存条贸易零售价率先出现不同程度的止跌反弹，渠道市场短期观望情绪正缓慢退却，询单环比上月有所增加，但是买卖双方之间仍存在一定的价差，实单成交较为艰难，本周渠道SSD、内存条小幅向下调整。
内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 跌 5.00% 至 $38.00，DDR4 UDIMM 16GB 3200 跌 2.50% 至 $78.00，DDR4 UDIMM 32GB 3200 跌 2.94% 至 $165.00，DDR5 UDIMM 16GB 5600 跌 3.23% 至 $150.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 跌 4.19% 至 $160.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 跌 3.70% 至 $260.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 跌 1.82% 至 $270.00；
SSD(渠道市场)：Channel SSD 240GB SATA 跌 2.50% 至 $39.00，Channel SSD 480GB SATA 跌 4.00% 至 $72.00，Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 2.38% 至 $41.00，Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 3.53% 至 $82.00，Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 3.85% 至 $125.00，Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 3.41% 至 $85.00，Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 3.45% 至 $140.00，Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 1.85% 至 $265.00。
据CFM闪存市场最新报价，DDR4、DDR5高等级颗粒价格上涨，
DDR：DDR4 8Gb 3200 涨 20.00% 至 $18.00，DDR5 24Gb Major 涨 11.11% 至 $40.00，DDR5 16Gb Major 涨 16.67% 至 $35.00。
中微半导公告称，公司正式发布自研32M bit SPI NOR Flash芯片，型号为CMS25Q32A，是继今年1月首款NOR Flash后存储产品系列化的最新成果。该产品尚未实现销售，存在市场推广与客户开拓不及预期的风险。
HPE（慧与）宣布推出业界首款 64TB 内存服务器 HPE Compute Scale-up Server 3250。该型号面向大型内存数据库应用场景，适用于关键和复杂的业务工作负载。这是HPE 首款基于 Intel至强 6 处理器的同类产品，采用模块化设计，提供 4~16 个处理器插槽，配备专用的高带宽互联外部节点控制器，内置 iLO 安全防护功能。
据韩媒报道，三星电子管理层与劳工代表12日在国家劳动关系委员会（NLRC）的监督下继续进行调解后程序。据报道，双方在上午的谈判中未能缩小分歧，尤其是在绩效奖金计算方法这一关键争议点上。公司提议维持现有的超额利润激励制度，同时增加超额业绩奖金；而工会则坚持要求将营业利润的15%作为绩效奖金的来源，并制定相应的制度。
应用材料公司宣布，已与台积电建立新的创新合作伙伴关系，以加速下一代人工智能时代半导体技术的开发和商业化，双方的合作关系已超过30年。两家公司计划在位于硅谷的应用型 EPIC（设备和工艺创新与商业化）中心联合开发材料工程、设备创新和工艺集成技术，以实现从数据中心到边缘的节能性能。应用材料已承诺对EPIC中心投入高达50亿美元，该中心预计2026年投入运营，其设计宗旨是整合芯片制造商和设备供应商，共同推动新技术从实验室快速走向大规模商业生产。
据媒体报道，三星电子将标准版Galaxy S26的计划产量从70万部上调至约100万部，Galaxy S26 Ultra也从100万至110万部，提高到120万至130万部。这已经是Galaxy S26系列连续第二个月增产。报道称，Galaxy S26 系列销量表现优秀，超出三星公司内部预期。在本轮产量调整中，Galaxy S26+产量维持在约20万部左右。
据业界消息，英特尔下一代 Razor Lake AX 处理器将重拾 MoP 封装技术，把内存集成在处理器基板上，主打高性能核显移动平台，对标 AMD Halo 旗舰 APU，预计搭载 LPDDR5X或LPDDR6，进一步提升带宽与能效。
龙芯中科董事长、总经理胡伟武在公司2025年度暨2026第一季度业绩说明会中透露，GPU芯片9A1000 已于2025年9月流片，桌面CPU3B6600也已完成设计并于近期交付流片。针对投资者关于今年年底是否能买到9A1000和3B6600的产品，胡伟武回复称工程样片应该可以但产品得到明年。据悉，龙芯9A1000是龙芯首款GPU芯片，定位为支持AI加速的入门级显卡，显示功能大致相当于AMD的RX 550；3B6600采用八核结构，对标的处理器可能不止12代i5到i7，硅前测试相比3A6000同频性能提高30%左右。此外，胡伟武还透露，公司确实在研究存储芯片市场。近期联合其他企业开展 HBM 芯片中逻辑硅片的研发。
据韩媒ZDNet援引业内人士消息称，SK海力士正在与英特尔合作开展2.5D封装技术的研究与开发。据悉，SK海力士正在考虑采用英特尔的2.5D封装技术“嵌入式多芯片互连桥（EMIB），目前正在进行测试，以将HBM和系统半导体与英特尔提供的EMIB嵌入式基板结合使用。
据外媒报道，在“特朗普政府的压力和坚持下”，特斯拉正在考虑将其AI6.5芯片的生产从台积电转移到英特尔。据悉，特斯拉的AI6和AI6.5芯片都将采用新型 LPDDR6内存，AI6芯片计划于2026年12月进行流片，AI6.5芯片则计划在几个月后推出。分析指出，特斯拉一直依赖台积电进行AI5芯片的大批量生产，将生产从其主要主力设备转移到英特尔仍未经充分测试且良率仍有问题的先进节点的可能性似乎相当渺茫。
当地时间5月11日，美股三大股指全线收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨幅为0.19%，报49704.47点；标普500指数涨幅为0.19%，报7412.84点；纳斯达克综合指数涨幅为0.10%，报26274.13点。其中，大型科技股表现分化，高通涨超8%，英伟达涨超1%，AMD涨0.79%，谷歌A跌超3%，谷歌C跌超2%，亚马逊跌超1%，微软、苹果分别跌0.59%、0.13%；存储板块多数收涨，西部数据涨超7%，美光、希捷涨超6%，闪迪跌0.95%。
日本HDD 盘片制造商 Resonac宣布将把机械硬盘记录介质的生产能力从当前的每年 1.6 亿片扩展至 2.1 亿片，增产幅度约 31%；新生产线计划从 2027 年起根据市场环境逐步上线。此次扩产以其新加坡分支 (RHDS) 为中心，将在这一生产基地引入新的制造设备。
据韩媒援引业内人士消息称，三星电子DS事业部正在商讨恢复对下一代半导体的研发和投资。据悉，此次商讨的重点在于研发方向和设施投资的时间安排，主要新业务包括下一代NAND闪存、化合物半导体以及先进封装和基板。据悉，针对400层以上NAND闪存以及先进封装和基板的投资计划已基本落实。业内人士分析，“三星电子认为其存储器领域的基本竞争力已恢复到一定水平，所以开始重启未来增长引擎的创新。”然而，三星电子工会罢工问题被认为是一个不确定因素。因此，据报道，三星电子目前无法就具体时间做出最终决定。预计只有在劳资冲突解决后，才会真正开始着手寻找新的增长引擎。
据媒体报道，iPhone 18 Pro系列将率先首发搭载A20 Pro。苹果A20 Pro手机芯片采用台积电2nm工艺（从现有3nm制程升级至2nm），并首次引入WMCM先进封装工艺，能效和性能大幅提升，AI任务处理能力将迎来质的提升。
据外媒报道，高通 CEO 克里斯蒂亚诺·阿蒙（Cristiano Amon）近日在接受采访时明确表示，2026年将是“智能体元年”，以智能手机为中心的时代即将迎来变革，而AI智能眼镜有望接棒成为下一代主流的个人AI设备。
据韩媒报道，5月11日，三星劳资双方在国家劳资关系委员会的主持下，恢复了由政府斡旋的调解后谈判。截至当地时间下午3点，谈判尚未取得突破性进展。如果调解后的结果仍然没有达成协议，三星电子历史上第二次大规模罢工的前景预计将成为现实。业内人士认为，如果工会真的在5月21日至6月7日期间举行总罢工，生产中断和供应延迟造成的损失可能高达数万亿韩元。
本周渠道SSD及内存条价格普遍再度下调，受需求疲软拖累LPDDR4X由稳转跌！
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