原厂减产效应还未奏效，市场惨淡的环境下，企业综合实力备受考验

2019年首季受需求淡季影响，NAND Flash和DRAM价格持续下滑，同时影响产业链企业营收和获利减少。随着进入Q2季度，业内人士预估市场需求会较Q1有所好转，而且市场价格跌幅也会明显收窄。但是，4月初部分闪存产品价格持续跌势，再加上原厂减产效应还未奏效，以及中美贸易的不确定因素影响，后续市况发展不明朗，大部分厂商目前多持观望态度。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，经历2018年价格大跌后，2019年首季消费类NAND Flash价格指数再跌19.3%，4月初部分闪存产品价格持续跌势，累积价格跌幅已超过了20%，每GB价格跌至0.064美金。于此同时，部分DRAM产品价格跌幅已超过30%。

受跌价的影响，美光2019财年Q2净利润同比大跌超过50%，NAND ASP环比下降20%以内，Bit出货量环比增长。DRAM ASP环比下降20%以内，Bit出货量环比下降10%~15%。三星2019年首季营收同比下滑14%，营业利润大跌60%。市场业内人士预估SK海力士2019年首季营业利润达2.09兆韩元，较2018年同期的4.37兆韩元，同比下滑52%。

正由于首季市场表现惨淡，以及后续持续跌价的发展趋势，使得大部分业内人士看淡2019上半年市况。另一方面，为了更好的应对市场变化，三星、台积电、SK海力士、英特尔、美光等国际大厂纷纷优化企业结构，强化核心技术，以及采取减少投资、裁员等策略，迎2019年产业面临的挑战。

据悉，在提升核心技术和创新应用方面，三星招募半导体专家，加强下一代DRAM和NAND Flash技术，还将调度1000名研发人员，组建新物联网部门，深耕5G和AI两大潜力市场。另外，台积电5nm领先三星进入试产阶段，目标也是锁定潜力巨大的5G与AI市场。

面对三星在核心技术上的投入，SK海力士扩建的中国无锡二期工厂将于4月全面投产，主要是用于生产先进的10nm级DRAM技术，预估每月可生产18万片Wafer。英特尔导入更大容量且更具成本竞争力的QLC技术，扩大创新Ruler设计的SSD在数据中心领域的应用。同时，为了减少开支，英特尔裁减了百名IT员工，这是英特尔自2016年以来最大规模的裁减动作，美光则将2019年资本支出下调至90亿美元。

相较于2016年和2017年涨价的时期，2018年部分产业链企业财报已受到影响，2019年企业将陷入苦战。然而，疲软的大环境下，尤其是在持续跌价的行情中，企业加强技术，提高成本竞争力是必须的，同时也在考验企业快速应对市场变化、灵活调整库存等综合实力。