编辑:Helan 发布:2018-11-09 20:07
2018年NAND Flash市场供应增加,而市场需求增幅却有所迟缓,尤其是中国手机市场出货下滑,导致市场NAND Flash供过于求。据中国闪存市场ChinaFlashMarket价格指数,截止到11月9日,2018年NAND Flash价格跌幅已达到65%,再加上Q4又是传统的淡季,预计NAND Flash价格还将进一步下滑。
NAND Flash价格下滑是64层3D技术扩大普及后的正常现象,但是市场价格不到1年的时间就大跌65%,却让业内人士始料未及,出乎预料。据中国闪存市场ChinaFlashMarket价格,NAND Flash每GB价格已跌破0.1美金,下探至0.08美金。由于价格的持续下滑,市场价格已接近部分厂商的成本价,这将直接影响到存储企业产品获利和财务业绩,若NAND Flash价格进一步下滑,市场恐出现产品亏本销售的情况。
2018年消费类NAND Flash每GB价格走势图
在跌价的市场环境下,Flash原厂加快96层3D NAND量产已是迫在眉睫。首先,新一代96层堆叠相较于64层,单颗Die容量翻倍,可进一步降低成本,这也是最重要的因素。其次,新技术在量产良率、质量等方面容易出现瑕疵,所以需要预留一定的时间过渡。第三,则来自同业竞争者之间的压力,抢占市场先机很重要。
据悉,三星在7月份已宣布量产96层V-NAND,东芝基于96层3D NAND推出了XG6系列SSD,西部数据则推出了256GB容量的UFS2.1产品。SK海力士新工厂M15已经竣工,并在本周宣布开始初步量产96层4D NAND。英特尔大连二期工厂也开始投产96层3D NAND,还有美光新建的Fab10三期工厂,预计2019上半年96层3D NAND供货会逐步增加。
96层3D技术发展迫在眉睫,但由于NAND Flash行业跌价过快,再加上2018年Q4和2019年Q1均处于传统淡季,原厂又担心市场供过于求的情况更加严重,所以对产出量进行了控制。日前,西部数据宣布Fab工厂减少产出量,并推迟下一步扩产计划,显然是为了平衡市场供需。
存储原厂 |
三星电子 | 57050 | KRW | -2.15% |
SK海力士 | 244500 | KRW | +3.82% |
铠侠 | 2044 | JPY | +1.69% |
美光科技 | 115.600 | USD | -0.50% |
西部数据 | 55.700 | USD | -0.14% |
闪迪 | 42.500 | USD | +2.91% |
南亚科技 | 52.9 | TWD | -1.12% |
华邦电子 | 18.30 | TWD | -0.81% |
主控厂商 |
群联电子 | 529 | TWD | +0.57% |
慧荣科技 | 66.960 | USD | -0.76% |
联芸科技 | 37.38 | CNY | -0.08% |
点序 | 56.2 | TWD | -1.40% |
品牌/模组 |
江波龙 | 71.61 | CNY | +0.53% |
希捷科技 | 127.270 | USD | +0.95% |
宜鼎国际 | 237.0 | TWD | +0.85% |
创见资讯 | 102.5 | TWD | -0.97% |
威刚科技 | 95.6 | TWD | -0.10% |
世迈科技 | 19.280 | USD | -3.79% |
朗科科技 | 21.99 | CNY | +2.04% |
佰维存储 | 58.56 | CNY | +0.46% |
德明利 | 121.10 | CNY | +1.10% |
大为股份 | 15.42 | CNY | +1.98% |
封测厂商 |
华泰电子 | 41.10 | TWD | +0.74% |
力成 | 133.0 | TWD | +2.70% |
长电科技 | 31.99 | CNY | +0.28% |
日月光 | 145.0 | TWD | +1.05% |
通富微电 | 23.24 | CNY | +0.61% |
华天科技 | 8.75 | CNY | +0.11% |
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