武汉、南京、成都三大存储基地开工，分工协作，促发展

近几年，中国在存储领域大手笔投资，主要瞄准3D NAND、DRAM、NOR Flash、SLC NAND等产品线。当下，除了武汉存储基地一期投入生产，武汉、南京、成都三大项目陆续宣布开工，代表着中国存储产业发展又向前推进了一大步。

在芯片制造上，新建的武汉存储基地一期工厂可以实现每月15万片的产能。为了进一步扩大生产规模，8月底又开始启动武汉存储基地二期扩产项目，项目规划总投资17.8亿美元，建设自主代码型NAND、微控制器和3D特种工艺三大业务平台。

武汉启动二期扩产项目

除了武汉存储基地，10月12日，投资约240亿美元的紫光成都存储器制造基地开工，项目占地面积约1200亩，将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，瞄准的是高端集成电路产品设计、制造等薄弱环节。9月30日，在南京紫光南京集成电路基地（一期）项目开工，占地面积约1500亩，2019年底前建成，主要产品为3D NAND、DRAM存储芯片等，月产能10万片，一期投资达105亿美元，总投资超300亿美元。

紫光成都存储器制造基地

虽然与存储器国际大厂相比，中国存储企业才刚刚起步，但是随着武汉存储基地一期投入生产，武汉存储基地二期、南京集成电路基地、成都存储基地的陆续开工，将成为中国NAND Flash和DRAM生产的重要基地，未来其生产规模也将会逐步赶上国际水平。

另一方面，各企业分工合作，分别从技术研发、产品创新、市场应用等方面寻求突破。其中长江存储担当着中国存储芯片自主研发的使命，在经历了2个测试芯片阶段，3D技术从9层发展到32层，并已成功量产。目前64层试片成功，预计将在2019年导入创新的Xtacking™技术投产，正在一步一步的提高研发实力。

紫光存储将实现中国芯的愿景，2018年紫光存储已发布了eMMC、UFS、SSD等全系列闪存产品，瞄准消费类、企业级市场。近日，紫光国微将全资子公司西安紫光国芯半导体有限公司100%股权又以约2.2亿元人民币转让给紫光集团下属全资子公司紫光存储科技，等于紫光存储也拥有了DRAM业务，有助于更好的扩展存储市场版图。

兆易创新专注于小容量的NOR Flash和SLC NAND，满足智能终端、智能硬件、物联网产品对小容量存储芯片日益增长的需求。还有紫光西部数据，瞄准大数据应用领域，提供从快数据到大数据的全方位数据存储解决方案，并且还入围了2018-2019年度政府采购协议供货名录。

在中国存储产业发展的总体战略布局上，各企业正充分发挥其在设计、制造、产品、大数据应用等方面的优势和价值，增强存储方向的协同作用，共同推动中国存储产业的发展。