三星Note9搭载512GB容量，引爆高端旗舰机从128GB起跳

2018上半年原厂64层3D NAND市场应用逐步扩大，下半年开始陆续量产更低成本的QLC以及96层3D NAND，使得市场NAND Flash Bit供应量大幅增加。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2018年NAND Flash价格指数已累计下滑43%，NAND Flash每GB价格下探至0.13美金，基本回到了2016年涨价时期的价格水平。

2018年NAND Flash价格下滑的同时，智能手机整体出货下滑，使得低迷的市场氛围不断扩散开来。不过，近期8月15日三星正式发布Galaxy Note 9国行版，Mobile DRAM容量配备6GB、8GB两种可选，较此前的4GB、6GB配置明显提升，使得DRAM市场供应短缺的情况一直持续，且价格居高不下。为了满足市场对DRAM的需求，三星扩大在平泽新厂的DRAM产能，SK海力士也将投资3.5兆韩元在利川建M16厂，规划将用于生产DRAM，同时在新制程转进以及良率提升等推动下，Mobile DRAM市场供应短期只是暂时，预计将在2018年底供应会有所改善。

另一方面，三星Galaxy Note 9搭载的Flash最大容量升级到512GB，容量不仅相较于去年翻倍，而且已经赶上SSD，大大满足消费者网上购物、移动支付、手机海量视频、照片等存储需求。不仅仅是三星，其他手机厂商也纷纷跟进，比如：坚果R1、OPPO Find X兰博基尼版、华为Mate RS、华硕ROG Phone等。

智能型手机容量的翻倍增加，得益于NAND Flash技术向3D NAND技术发展，2018下半年各家原厂96层3D NAND的单颗Die容量已可超过1Tbit，NAND Flash高密度发展以及价格下跌正积极推动手机旗舰机容量从128GB起跳，并向512GB迈进。

另外，苹果将在9月份召开秋季新品发布会，发布4款新iPhone，届时苹果也有望推出512GB大容量版本，我们拭目以待吧！