2018年Flash 原厂3D技术有新突破，市场竞争进入白热化

随着三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等64层/72层3D NAND大规模量产，使得2018上半年NAND Flash价格持续下滑，而如何提升产能、加强成本竞争力成为各大Flash原厂共同面临的难题。2018下半年各原厂3D技术均有了新突破，新一代QLC和96层NAND技术即将面世，市场竞争进入白热化。

目前，三星第五代V-NAND已进入量产，堆叠层数96层，支持Toggle DDR 4.0接口，传输速度最高可达1.4Gbps，相比64层V-NAND提升40%。其制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升30%，后续基于该技术三星还将推出容量高达1Tb和QLC V-NAND。

美光与英特尔64层3D QLC NAND单Die容量1Tb，现在已开始生产和出货，96层3D NAND将在2018下半年开始量产。其中美光采用QLC NAND技术的SSD(5210 ION)已对战略合作伙伴的客户出货，预计今年秋季将会扩大供货。英特尔基于QLC NAND面向数据中心市场的PCIe SSD也已开始投产。

此外，美光/英特尔联合开发的第二代3D Xpoint预计将在2019上半年面世。3D Xpoint是一种全新的非易失性存储器，较NAND具有更低的延迟和更大的耐用性，在市场上具有绝对的性能竞争力。英特尔目前已经推出了基于3D Xpoint技术的傲腾品牌的消费级、企业级SSD以及内存产品；而美光基于3D Xpoint的QuantX产品需要等到2019年才推出，大量出货/商业化应用可能是2020年。

东芝/西部数据基于96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND（4bits/cell）单Die容量最高可达1.33Tb。相比美光与英特尔此前发布的64层3D QLC单Die 1Tb的存储密度，东芝/西部数据96层3D QLC容量增加33%。西部数据预计将在2018下半年开始批量出货，并优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品。东芝预计将会在9月份送样SSD及控制器厂商，2019年开始批量生产。

随着各家原厂QLC、96层3D NAND等技术均有所突破，且在2019年扩大生产规模，预计NAND Flash市场供应量将大幅增加，NAND Flash每GB成本也将进一步降低。