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2018年NAND价格已累计下滑29%,原厂动态引市场专注!

编辑:Helan 发布:2018-05-25 15:21

由于Flash各家原厂64层3D NAND量产256Gb或512Gb单颗Die,以及新一代具有成本优势的3D NAND积极导入到eMMC、SSD等产品中应用,使得NAND Flash价格持续下滑。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,2018年NAND Flash综合价格指数已累计下滑29%,已基本回到2016下半年的水平,NAND Flash每GB价格已下探至0.17美金。

2016年-2018年5月NAND Flash综合价格指数走势

来源:中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com

NAND Flash价格持续下滑,主要是因为原厂64层3D NAND已具有2D NAND的成本优势,但更值得关注的是美光与英特尔推出64层3D QLC NAND,相比三星、东芝、美光、SK海力士等64层3D NAND单颗Die容量增加了一倍。由于QLC(4bits/cell)架构相较于TLC(3bits/cell)具有更高的存储优势,其单颗Die容量可高达1Tb,这将意味着每GB NAND Flash成本将会持续下滑。

此外,东芝将在7月份开始新建Fab 7工厂,预估2019年开始投产,以东芝3D NAND技术发展进程推算,预估新工厂建成后将用于量产96层3D NAND,若再采用QLC架构,预计单颗Die容量将更高,每GB NAND Flash成本也将进一步下滑。

除了东芝,传三星和SK海力士计划加码投资,以强化半导体制造能力,其中三星计划把芯片制造设施投资从27.3兆韩元提高至30兆韩元;SK海力士资本支出将提高至15兆韩元。

2018年以来Flash原厂建厂、加码投资等动作不断,比如三星西安二期、东芝Fab6/7、美光Fab10三期等。就各家建厂进程而言,新工厂投产时间预计将会落在2019年以后,所以对目前的NAND Flash市场影响不大,但可能会引起市场恐慌系数的上升,从而影响市场价格波动。

至于美光和英特尔新推出的64层3D QLC NAND,由于高密度优势,以及各家原厂非常看好SSD市场发展前景,所以会优先用于SSD产品上,预估对SSD市场有影响,同时可能会刺激SSD价格进一步下滑。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,截止到5月下旬,SSD 120GB价格从年初的32美金下滑至27美金,累计下滑15.6%;240GB价格从60美金下滑至44美金,累计下滑27%;480GB价格则由130下滑至86美金,累计下滑34%。

展望后市,2018年Q2市况优于首季,但依然面临着很多的压力,随着台北电脑展即将在6月初拉开序幕,有助于市场需求的回温,而且在Q3旺季到来之前,厂商可望提前启动旺季备货动作,但仍需密切关注NAND Flash市场供需变化,灵活控制库存水位,把握市场先机。

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股市快讯 更新于: 08-03 23:10,数据存在延时

存储原厂
三星电子68900KRW-3.50%
SK海力士258000KRW-5.67%
铠侠2424JPY-2.18%
美光科技104.880USD-3.90%
西部数据76.550USD-2.72%
闪迪41.330USD-3.70%
南亚科技44.45TWD-0.22%
华邦电子17.60TWD+1.44%
主控厂商
群联电子525TWD-0.94%
慧荣科技76.420USD-0.16%
联芸科技43.24CNY-1.39%
点序51.9TWD+0.58%
品牌/模组
江波龙87.86CNY-1.59%
希捷科技154.810USD-1.40%
宜鼎国际226.5TWD-0.22%
创见资讯93.6TWD-1.06%
威刚科技91.8TWD+0.55%
世迈科技22.810USD-3.22%
朗科科技23.80CNY-1.24%
佰维存储63.50CNY-0.11%
德明利87.93CNY+2.90%
大为股份16.85CNY-2.43%
封测厂商
华泰电子39.45TWD+0.90%
力成123.5TWD-1.98%
长电科技34.54CNY-1.51%
日月光152.5TWD0.00%
通富微电27.13CNY-3.52%
华天科技9.91CNY-1.10%