10月价格涨势明显，NAND Flash综合指数已累积达53%

引语：2016年第三季度苹果、华为、OPPO、VIVO等新机持续销售，原厂第四季度NAND Flash供货依然比较紧张，同时原厂又提高价格导致成本增加，再加上汇率波动等影响，10月NAND Flash市场价格上涨幅度较为明显。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket综合价格指数显示，10月NAND Flash综合价格指数涨幅高达22%，其中TLC eMMC 16GB和32GB价格分别上涨22%、6%，TLC SSD 120GB和240GB价格则均上涨10%，Micro SDHC(UHS I) (CL10)16GB和32GB价格分别涨幅高达21%、29%。从3月下旬NAND Flash涨价以来，2016年NAND Flash综合价格指数涨幅已累积高达53%，创历史新高。

SSD历史价格走势图

eMMC历史价格走势图

闪存卡历史价格走势图

10月市场价格涨势惊人主因还是因为三星、东芝/SanDisk、美光、SK海力士等在2016年致力于由2D NAND向3D NAND转换，导致2D NAND产能减少，3D NAND产能又优先供给各厂商品牌SSD出货，以及供应给苹果256GB容量机型，以至于市场NAND Flash供货持续紧缺。

除了NAND Flash持续缺货影响，三星Galaxy Note 7停售连锁反应，也进一步刺激了NAND Flash价格上涨。受Note 7停售影响，导致三星Q3营业利润较预期减少23亿美元，移动部门运营利润环比更是暴跌98%，预计未来两季合计利润还将损失30亿美元，为了弥补Note 7造成的损失，三星势必会调整Q4市场供货策略。

就目前Memory市场而言，Mobile DRAM 和NAND Flash原厂供货紧缺，需求端智能型手机和SSD容量需求却翻倍增加，导致市场供不应求。三星提高需求旺盛的DRAM和NAND Flash市场报价，可有效的提高营收和利润，这也让NAND Flash价格涨势更加迅猛。

不过，三星Fab 17和Fab 18（平泽厂）将分别在2017年Q1和Q2量产，3D 技术也将提高到64层，SK海力士曾在财报中表示，年内计划销售48层3D NAND以及加快72层3D NAND研发工作。随着原厂3D NAND转换完成，以及新工厂量产，预计市场供货紧张将会有所缓解，但仍需待实际供货情况进一步观察。