NAND供货持续紧缺影响，eMMC、SSD累积涨幅已达20%

由于Flash原厂2D NAND产出有限，3D NAND良率不高，而智能型手机和SSD对高容量需求增加，导致2016年NAND Flash市场一直处于紧张的供货状态，从而刺激闪存卡、eMMC、SSD等闪存产品价格持续走高。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket综合价格指数显示，3月下旬NAND Flash价格就已有明显涨价的迹象，5月下旬开始价格持续走高，截止至9月底，NAND Flash综合价格指数涨幅已累积高达25%。

 
市场缺货，原厂NAND Flash供货有限是主因

由于Flash原厂三星、东芝/SanDisk、美光、SK海力士等2D NAND技术遭遇制程微缩的瓶颈，以至于2D NAND存储密度、产出量等提升有限。此外，三星为了扩大48层3D NAND产量，将Fab 16产线16nm 2D NAND改造成48层3D NAND，导致供给市场的2D NAND产能进一步减少。

3D NAND方面，Flash原厂虽然纷纷扩大或加快投入，但是大部分3D NAND量产良率都不高，影响了3D NAND产出量，而且3D NAND基于高容量和性能优势都将优先供给各厂商品牌SSD出货，三星3D NAND也仅供应给苹果256GB容量机型，所以上游原厂3D NAND对市场供应也是相当有限的。

苹果iPhone 7和旗舰机手机容量翻倍，持续大量消耗着2D NAND产能

2016上半年Galaxy S7、华为P9 Plus、小米5、乐视Max 2、vivo Xplay 5、OPPO R9 Plus等纷纷增加128GB容量，下半年新一轮新机上市，三星Note 7、小米5s/红米Pro、乐Pro3 华为荣耀 Note 8等同样搭配128GB容量，ZenFone3尊爵更是增加256GB容量，推动旗舰智能型手机主流容量从32GB起跳，平均容量则从2015年的40GB提升到60GB，持续大量消耗着2D NAND产能。

2016年最新旗舰机手机参数表

更值得注意的是，苹果发布的iPhone 7/7 Plus增加了256GB容量，由三星独家供应3D NAND芯片，同时128GB容量的生产比重也会增加，并且从32GB起跳。市场消息称苹果计划iPhone 7在2016年底目标出货量要达到1亿台，以iPhone 7容量分配256GB（15%）、128GB（60% ）、32GB（25%）来计算，苹果单凭iPhone 7就将消耗120亿GB的NAND Flash，让2D NAND产能供应更加紧缺。
 
NAND Flash缺货持续影响，闪存产品涨幅较大

2016年Flash原厂NAND Flash供应持续紧缺，Q3销售旺季，苹果、华为、小米、oppo等厂商新一轮新机上市，且容量倍增，再加上消费类TLC SSD需求强劲，原厂NAND Flash供应已无法满足市场需求，以目前市场情况而言，缺货还将持续。

中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示，闪存卡产品价格对市场供需最为敏感，早在3月下旬就有上涨的迹象，Micro SDHC(UHS I) 16GB(CL10)价格已从14.8元上涨至22.6元，涨幅已达到53%。Micro SDHC(UHS I) 32GB(CL10) 价格则从30.5元上涨至44.2元，涨幅已达到45%。

闪存卡历史价格走势

随着NAND Flash涨价行情的持续扩大，TLC SSD 120GB价格从5月下旬25美元的低点上涨至30美元，累积涨幅高达20%，240GB价格则从6月份最低点的44美元上涨至50美元，累积涨幅达14%。

9月27日SSD产品报价

SSD历史价格走势

嵌入式产品也从2016下半年开始，eMMC 16GB TLC价格由3.45美元上涨至4.1美元，累积上涨19%，eMMC 32GB TLC从7美元上涨至8美元，累积上涨14%。9月底主要供应商尚未更新最新市场策略，市场处于有价无市的状态，预计后期eMMC产品还有涨价的空间。

9月27日eMMC/eMCP产品报价

eMMC历史价格走势