本周NAND Flash意外涨价 市场需求依然未见突增

8月市场需求疲软，NAND Flash相关产品价格大多表现为缓跌或者持平，现在已经步入9月，以往各智能型手机和平板厂商都会在9月和10月发布新产品，借助中国国庆长假的销售旺季带动出货量攀高，也是消费性产品供应链的备货期。

但是从市场表现来看，9月初需求并未出现大的增加，由于7月、8月市场需求清淡，目前部分商家库存水位也不低，本周（0902-0906）NAND Flash相关产品价格走势也应该和8月行情走势大致相同，可是却出现了价格飙涨的情况。NAND Flash相关产品价格意外涨价，并非市场需求突增，而是受到SK Hynix 中国无锡工厂爆炸消息的影响，NAND Flash是一个敏感的市场，尤其是价格，在销售旺季冲刺的时候，听到上游芯片厂工厂爆炸的消息，不免会引起一时的恐慌。

SK hynix位于中国无锡的存储器工厂在9月4日下午发生起火爆炸，预计该工厂大约有15万片/月的12吋Wafer产能，包括PC DRAM、Mobile DRAM、NAND Flash等芯片。近1、2年智能型手机、平板等移动产品的高速发展，Mobile DRAM芯片需求持续升温，SK Hynix将主力生产Mobile DRAM，估计该工厂更多的应该是生产Mobile DRAM芯片。至于何时恢复生产，SK海力士女发言人朴圣爱（Park Seong Ae）曾表示，无锡厂部分生产线受损，目前不清楚何时能够完全恢复运作，甚或是延后复工将如何影响供应。

进一步分析，PC市场需求每况日下，移动设备需求蒸蒸日上，对于市场来讲PC DRAM和Mobile DRAM，Mobile DRAM的供应情况大家更为关注，而且中低端智能型手机所采用的eMCP是eMMC加Mobile DRAM，eMCP只有三星、SK hynix等少数厂商可以供应，Mobile DRAM供应减少恐将影响中低端智能型手机供货成长，也可能影响其他移动设备用的Mobile DRAM供应量。

SK Hynix中国无锡工厂爆炸事件不仅让市场人员忧心后续供货情况，同时也刺激NAND Flash相关产品价格从周三（9月4日）开始价格一直涨至周五（9月6日），带动本周综合价格指数上涨4%。据中国闪存市场网产品报价显示，主流闪存卡产品Micro SD（C2-6）价格周一和周二均表现为缓跌或持平，价格波动幅度在0.2元以内，周三价格开始飙涨。其中2GB价格由16.4元上涨至17.4元，上涨6%；4GB价格由19.2元上涨至20.4元，也上涨6%；8GB价格由23.6元上涨至24.8元；16GB价格由46.3元上涨至48元，32GB价格由93.6元上涨至94.8元，分别上涨4%、1%。

注：数据以每日开盘、收盘数据为参考对象

除了Micro SD，其他产品SD、NAND Flash等也跟风涨价的。NAND Flash颗粒从低容量到高容量价格都出现不同幅度的上涨，其中Samsung 32Gb MLC (LBG)和Samsung 32Gb MLC (GBG)价格本周持续上涨，价格分别由2.98美金/2.85美金上涨至3.15美金/3.03美金，均上涨6%。Micron 32Gb MLC价格从周三开始上涨，价格由2.78美金上涨至2.9美金，上涨4%。Hynix 32Gb MLC (UBG)价格上涨4%。高容量Hynix 64Gb MLC (UCG)价格由3.95美金上涨至4.08美金，上涨3%。Samsung 64Gb MLC (LCG)价格上涨1%。其他16Gb、8Gb等价格也有不同幅度的涨价。

注：数据以每日开盘、收盘数据为参考对象