系列 | NAND I/O速度 | 容量 |
---|---|---|
G9 QLC NAND | 3.6 GB/秒 | 2Tb |
美光 2Tb G9 QLC NAND 采用先进的六平面 NAND 架构,可实现更高的并行度,并增加同时向 NAND 发出的读写命令数量,从而提升性能。此外,采用美光创新的自适应写入技术 (AWT),使用更快的 SLC 和 TLC NAND 模式来提高写入速度,同时保持 QLC 的经济优势。
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2