配备下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,数据输入/输出速度最高可达3.2Gbps。
三星
2024-08-27
基于Toggle DDR 5.0 接口,I/O速度高达2.4 Gb/秒。
三星
2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F采用15nm工艺,提供16Gb容量选择。
三星
2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D采用16nm工艺,提供16GB容量选择。
三星
2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A采用LDPC纠错,提供32GB容量选择。
三星
2018-03-14
Samsung 3D TLC ADGS0F采用15nm工艺,提供16GB容量选择。
三星
2018-03-14
Samsung 3D TLC ABGU0E采用16nm工艺,提供4GB容量选择。
三星
2018-03-14
Samsung 3D TLC ACGU0D采用16nm工艺,提供8GB-32GB多种容量选择。
三星
2018-03-14
Samsung 3D TLC ADGU0M采用19nm工艺,提供16GB-64GB多种容量选择。
三星
2018-03-14
Samsung 3D TLC ACGU0B采用19nm工艺,提供8GB-16GB多种容量选择。
三星
2018-03-14