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  • 2026-05-18 14:31

美光最新消息

美光 9400 SSD 采用美光176层3D TLC,PCIe Gen4接口,符合NVMe 1.4规范,U.3 外形尺寸,向后兼容 U.2 插槽,提供6.4TB 到 30.72TB多种容量选择。

Montierth 将负责领导美光的移动业务,包括构建世界一流的移动解决方案,以应对由数据密集型移动体验需求驱动的不断增长的内存和存储市场机会。Montierth 将向美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 汇报工作。

Xiaomi 13 是全球首批采用 LPDDR5X 的智能手机之一,其峰值速率高达每秒 8.533 Gb。

美光 2550系列SSD 提供 22x80mm、22x42mm 和 22x30mm 外形规格,并提供 256GB、512GB 和 1TB 容量选择。

作为全球首家官宣232层NAND Flash的存储原厂,美光的研发进展及供应策略对存储市场具有举足轻重的影响。那么,美光对于明年存储市场的展望有何变化?如何通过先进制程激发市场的应用需求?12月8日,美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将在中国闪存市场峰会CFMS2022上发表重要演讲,敬请期待!

美光最新 LPDDR5X 专为高端和旗舰智能手机打造,峰值速度8.533 Gbps,比上一代 LPDDR5 提高33%。

使用第 4代 AMD EPYC处理器系统,美光实现了每插槽 378 GB/s 的峰值内存带宽,而第 3 代 AMD EPYC 处理器系统为 189 GB/ s,系统内存带宽增加了两倍。

3年多来,美光进一步投资数十亿美元,将其晶圆厂改造为先进、高度自动化、可持续和人工智能驱动的设施。这包括对美光在日本广岛的工厂的投资,该工厂将在1β上大规模生产DRAM。

美光在纽约的超级工厂是其战略的一部分,该战略旨在在未来十年将美国制造的领先 DRAM 产量逐步提高到公司全球产量的 40%。

美光的博伊西工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具,包括极紫外光刻 (EUV),以推动下一代 DRAM 的行业领先地位。

这将是 20 年来在美国建造的第一家新的存储制造工厂,在加速采用人工智能和 5G 的推动下,确保供应美国汽车和数据中心等细分市场所需的领先存储芯片。

两家公司还在合作研究替代蚀刻气体的材料,蚀刻气体具有很高的全球变暖指数,可用于干法蚀刻和腔室清洁。

理想L9跨域控制单元还搭载了美光的NOR闪存和eMMC技术,以确保整体系统的稳健性,并缩短系统启动时间。

预计美光将在未来几周内分享有关其计划的更多细节。

232层NAND推出全球首款六平面TLC量产NAND。它在所有 TLC NAND中每个芯片的平面最多,并且每个平面都具有独立的读取能力。

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