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BusinessLine和ElectronicsB2B报导,美光准备扩大其位于印度海德拉巴的投资,将目前聘雇的500名研发人力于未来几年内增聘至2,000人。
美光科技宣布开始大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品。与上一代1Ynm制程相比,美光的1Znm 16Gb DDR4产品可提供更高的密度,显着的增强性能以及更低的成本。
美光推出业界首款使用1z nm技术,容量高达 16Gb的 LPDDR4X。同时提供基于UFS多芯片封装的uMCP4,功耗更低能有效延长电池寿命,有更小的尺寸能够应用于更薄的外形设计。
美光14日举行新加坡Fab 10A厂扩建完成启用典礼,正式宣布新工厂将在2019下半年开始生产。新Fab 10A工厂是从2018年开始新建,主要用于生产3D NAND。
美光14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建。此外,美光亦将加码在台湾DRAM厂投资,台中厂扩建生产线可望在年底前落成。
美光将发行总价值17.5亿美元的优先票据,用以支付给英特尔就收购IM Flash剩余股权事宜。
美光科技公司宣布任命汽车行业执行官MaryAnn Wright为其董事会成员,她将带来巨大的价值,为我们在汽车制造领域,提供高价值解决方案巩固了领先地位。
美光作为DRAM行业的龙头,但是在工艺进度上一直比较稳健,称得上是精打细算,10nm工艺上面更是玩出花样,其中1xnm已经十分成熟,1ynm目前正在扩充产能,生产对象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4颗粒等。
为了进一步改善市场供需,美光决定将NAND Flash晶圆产出减少比例从原来的5%提高到了10%,还将削减2020年资本支出。
美光科技发布截至5月30日的2019财年第三财季财报,该季度营收为47.88亿美元,相比之下去年同期的营收为77.97亿美元;净利润为8.40亿美元,同比下降78%,营业利润10.10亿美元。
Citi Research分析师Christopher Danely周一发布研究报告称,考虑到DRAM市场所面临的糟糕形势,到今年年底美光科技公司可能会亏损。
美光科技为广岛工厂新建的B2楼举行了竣工仪式,庆祝DRAM技术核心基地“Micron Advanced Technology DRAM center of excellence”的扩建,预计将在2019年底量产1Znm LPDDR4。
随着汽车行业的不断发展,近日美光的汽车级存储解决方案UFS 2.1已经向汽车客户开始送样,预计2019年第三季度将实现批量生产。UFS2.1系列产品是基于64层TLC 3D NAND,容量覆盖从32GB到256GB。
美光认为,DRAM产业面临三大挑战:第一,Wafer Gb当量显著增长的挑战;第二,技术转换节点所出现的成本与最终的收益挑战;第三,资本支出的强度持续增加。
美光宣布Elite DDR4 3600MT/s创造了一个新的超频记录,超频后的频率达到5726MHz。