编辑:AVA 发布:2024-06-12 11:05
据韩媒报道,SK海力士声称,其HBM 采用该司独特的大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 技术制造,比使用热压缩非导电膜 (TC-NCF) 制造的产品坚固 60%。
报道称,SK海力士通过使用尖锐工具刺穿 HBM 安装的 DRAM 顶部以产生划痕来进行测试,结果发现其芯片的划痕比使用 TC-NCF 生产的芯片少。这一结果表明,HBM 可以承受外部物理冲击,而不会影响涉及 HBM 和计算单元组合的异构集成封装过程中的产量。
业界认为,这份报告是 SK 海力士强调其优于三星电子和美光科技等竞争对手的 HBM 制造技术的方式。SK 海力士是英伟达等主要 AI 半导体公司的 HBM 领先供应商,并与台积电一起处于先进半导体封装领域的前沿,该公司预计这些结果将吸引其主要客户。
SK海力士还展示了其下一代封装技术“垂直扇出(VFO)”的开发状态。该技术涉及在没有半导体基板的情况下将四个LPDDR存储器垂直堆叠在计算单元顶部,称为扇出晶圆级封装(FOWLP)。
存储原厂 |
三星电子 | 61000 | KRW | +0.99% |
SK海力士 | 297000 | KRW | +5.69% |
铠侠 | 2557 | JPY | -5.58% |
美光科技 | 122.240 | USD | -1.75% |
西部数据 | 64.640 | USD | +0.97% |
闪迪 | 46.200 | USD | +0.06% |
南亚科技 | 47.15 | TWD | -2.58% |
华邦电子 | 18.50 | TWD | -2.37% |
主控厂商 |
群联电子 | 493.0 | TWD | +1.44% |
慧荣科技 | 74.710 | USD | +3.28% |
联芸科技 | 40.48 | CNY | +0.40% |
点序 | 51.4 | TWD | -0.19% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.53 | CNY | -1.77% |
希捷科技 | 142.010 | USD | -1.70% |
宜鼎国际 | 242.0 | TWD | -0.21% |
创见资讯 | 96.9 | TWD | -3.00% |
威刚科技 | 94.7 | TWD | -2.57% |
世迈科技 | 23.430 | USD | +10.57% |
朗科科技 | 23.31 | CNY | -1.69% |
佰维存储 | 65.71 | CNY | +1.09% |
德明利 | 83.10 | CNY | -4.25% |
大为股份 | 17.57 | CNY | -1.95% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.55 | TWD | +0.27% |
力成 | 135.5 | TWD | -0.73% |
长电科技 | 33.08 | CNY | -0.30% |
日月光 | 150.0 | TWD | +2.39% |
通富微电 | 24.91 | CNY | -0.20% |
华天科技 | 9.77 | CNY | +0.10% |
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