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消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术

编辑:AVA 发布:2024-06-04 14:43

据日媒报道,铠侠将在2026年量产第10代NAND,并将采用低温蚀刻的新技术,可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

报道称,这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔(memoryhole),以更快的时间形成,因此能提高单位时间的生产量。

目前,Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算,蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术,可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔,有望从Lam Research手中分得一杯羹。

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股市快讯 更新于: 11-26 03:17,数据存在延时

存储原厂
三星电子99300KRW+2.69%
SK海力士519000KRW-0.19%
铠侠9853JPY-1.76%
美光科技225.150USD+0.54%
西部数据155.175USD+2.81%
闪迪223.980USD-1.31%
南亚科技143.5TWD+0.35%
华邦电子57.5TWD+5.31%
主控厂商
群联电子1100TWD+4.27%
慧荣科技83.860USD+0.02%
联芸科技46.60CNY+1.08%
点序68.4TWD+3.79%
品牌/模组
江波龙241.49CNY+0.63%
希捷科技260.950USD+2.99%
宜鼎国际495.0TWD+6.00%
创见资讯189.0TWD+1.34%
威刚科技178.5TWD0.00%
世迈科技18.990USD+4.92%
朗科科技27.48CNY+2.35%
佰维存储104.99CNY+0.85%
德明利221.06CNY+1.35%
大为股份30.37CNY+2.32%
封测厂商
华泰电子48.30TWD+3.87%
力成152.0TWD+0.33%
长电科技35.51CNY+1.31%
日月光212.0TWD+0.71%
通富微电35.97CNY+1.87%
华天科技10.83CNY+0.74%