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消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术

编辑:AVA 发布:2024-06-04 14:43

据日媒报道,铠侠将在2026年量产第10代NAND,并将采用低温蚀刻的新技术,可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

报道称,这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔(memoryhole),以更快的时间形成,因此能提高单位时间的生产量。

目前,Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算,蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术,可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔,有望从Lam Research手中分得一杯羹。

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股市快讯 更新于: 12-21 08:43,数据存在延时

存储原厂
三星电子106300KRW-1.21%
SK海力士547000KRW-0.91%
铠侠9340JPY-1.79%
美光科技265.920USD+6.99%
西部数据181.080USD+3.47%
闪迪237.610USD+8.27%
南亚科技174.5TWD+2.65%
华邦电子71.3TWD-4.30%
主控厂商
群联电子1110TWD+2.78%
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联芸科技43.77CNY-2.30%
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品牌/模组
江波龙243.97CNY-5.64%
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创见资讯175.5TWD-4.36%
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朗科科技25.40CNY-1.74%
佰维存储109.40CNY-2.90%
德明利191.25CNY-7.01%
大为股份25.32CNY-4.60%
封测厂商
华泰电子49.70TWD-3.87%
力成159.0TWD-1.55%
长电科技35.76CNY+0.25%
日月光229.5TWD+3.38%
通富微电35.77CNY+0.06%
华天科技10.70CNY+0.09%