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消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术

编辑:AVA 发布:2024-06-04 14:43

据日媒报道,铠侠将在2026年量产第10代NAND,并将采用低温蚀刻的新技术,可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

报道称,这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔(memoryhole),以更快的时间形成,因此能提高单位时间的生产量。

目前,Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算,蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术,可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔,有望从Lam Research手中分得一杯羹。

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股市快讯 更新于: 10-12 13:03,数据存在延时

存储原厂
三星电子94400KRW+6.07%
SK海力士428000KRW+8.22%
铠侠6160JPY-0.96%
美光科技181.600USD-5.58%
西部数据115.420USD-3.58%
闪迪116.910USD-9.85%
南亚科技98.5TWD+8.48%
华邦电子43.45TWD+5.33%
主控厂商
群联电子882TWD+3.16%
慧荣科技85.800USD-8.89%
联芸科技57.50CNY-7.93%
点序73.5TWD+9.87%
品牌/模组
江波龙180.01CNY-3.32%
希捷科技214.380USD-3.30%
宜鼎国际405.0TWD+9.91%
创见资讯121.0TWD+3.42%
威刚科技179.5TWD+2.28%
世迈科技21.160USD-3.99%
朗科科技29.03CNY-3.55%
佰维存储96.50CNY-9.59%
德明利198.00CNY-4.84%
大为股份21.51CNY-0.78%
封测厂商
华泰电子52.4TWD+9.85%
力成159.0TWD+0.63%
长电科技43.77CNY-6.87%
日月光179.0TWD+2.58%
通富微电45.60CNY+3.19%
华天科技11.78CNY+4.16%