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消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术

编辑:AVA 发布:2024-06-04 14:43

据日媒报道,铠侠将在2026年量产第10代NAND,并将采用低温蚀刻的新技术,可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

报道称,这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔(memoryhole),以更快的时间形成,因此能提高单位时间的生产量。

目前,Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算,蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术,可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔,有望从Lam Research手中分得一杯羹。

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股市快讯 更新于: 07-12 09:13,数据存在延时

存储原厂
三星电子62600KRW+2.62%
SK海力士294500KRW-0.84%
铠侠2488JPY-2.70%
美光科技124.530USD+1.15%
西部数据66.140USD+1.66%
闪迪46.090USD-1.83%
南亚科技42.95TWD-8.91%
华邦电子18.45TWD-0.27%
主控厂商
群联电子492.0TWD-0.20%
慧荣科技73.470USD-1.82%
联芸科技40.64CNY+0.40%
点序51.9TWD+0.97%
品牌/模组
江波龙81.59CNY+1.32%
希捷科技147.180USD+1.85%
宜鼎国际239.0TWD-1.24%
创见资讯96.8TWD-0.10%
威刚科技94.7TWD0.00%
世迈科技24.100USD+1.13%
朗科科技23.73CNY+1.80%
佰维存储66.77CNY+1.61%
德明利81.10CNY-2.41%
大为股份17.43CNY-0.80%
封测厂商
华泰电子37.55TWD0.00%
力成136.0TWD+0.37%
长电科技33.51CNY+1.30%
日月光150.0TWD0.00%
通富微电25.48CNY+2.29%
华天科技9.93CNY+1.64%