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消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术

编辑:AVA 发布:2024-06-04 14:43

据日媒报道,铠侠将在2026年量产第10代NAND,并将采用低温蚀刻的新技术,可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

报道称,这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔(memoryhole),以更快的时间形成,因此能提高单位时间的生产量。

目前,Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算,蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术,可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔,有望从Lam Research手中分得一杯羹。

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股市快讯 更新于: 08-23 13:45,数据存在延时

存储原厂
三星电子71400KRW+1.13%
SK海力士251000KRW+2.45%
铠侠2403JPY+4.25%
美光科技117.680USD+1.63%
西部数据76.970USD+3.09%
闪迪46.370USD+1.91%
南亚科技45.35TWD-2.37%
华邦电子18.20TWD-1.09%
主控厂商
群联电子473.0TWD-0.21%
慧荣科技76.430USD+3.01%
联芸科技49.29CNY+2.47%
点序50.5TWD-1.37%
品牌/模组
江波龙96.60CNY+3.86%
希捷科技159.210USD+2.98%
宜鼎国际242.5TWD0.00%
创见资讯97.2TWD-2.61%
威刚科技96.4TWD+0.94%
世迈科技24.350USD+2.96%
朗科科技27.48CNY+2.00%
佰维存储70.70CNY+5.01%
德明利98.92CNY+2.40%
大为股份19.41CNY+2.70%
封测厂商
华泰电子40.95TWD+0.86%
力成117.0TWD-2.09%
长电科技38.84CNY+6.18%
日月光143.5TWD-0.35%
通富微电30.23CNY+4.71%
华天科技11.27CNY+4.45%