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消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术

编辑:AVA 发布:2024-06-04 14:43

据日媒报道,铠侠将在2026年量产第10代NAND,并将采用低温蚀刻的新技术,可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

报道称,这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔(memoryhole),以更快的时间形成,因此能提高单位时间的生产量。

目前,Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算,蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术,可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔,有望从Lam Research手中分得一杯羹。

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股市快讯 更新于: 11-05 10:47,数据存在延时

存储原厂
三星电子99000KRW-5.62%
SK海力士551000KRW-5.97%
铠侠9514JPY-11.58%
美光科技218.030USD-7.10%
西部数据152.180USD-3.70%
闪迪194.570USD-6.01%
南亚科技133.0TWD+1.14%
华邦电子51.4TWD-3.56%
主控厂商
群联电子1080TWD+3.35%
慧荣科技92.290USD-5.50%
联芸科技52.94CNY-3.87%
点序71.0TWD-1.39%
品牌/模组
江波龙257.98CNY-2.20%
希捷科技250.380USD-5.71%
宜鼎国际436.0TWD+2.35%
创见资讯126.0TWD-1.56%
威刚科技182.5TWD+0.83%
世迈科技21.520USD-4.78%
朗科科技28.80CNY-3.39%
佰维存储119.50CNY-1.98%
德明利214.56CNY-4.21%
大为股份26.59CNY-0.82%
封测厂商
华泰电子47.00TWD-1.67%
力成168.0TWD-3.45%
长电科技38.61CNY-3.04%
日月光232.5TWD-2.72%
通富微电39.40CNY-3.62%
华天科技11.71CNY-2.50%