三星、ASML合建研发中心预计2027年引进High-NA EUV设备

据韩媒报道，三星电子与ASML共同在韩国投资的半导体先进制程研发中心预计自2027年起引进High-NA 极紫外光（EUV）设备。

据悉，该研发中心是为High-NA EUV而兴建，总投资金额1兆韩元（约7.6亿美元），最快于2027年引进设备，因需经过许可流程，最快将于2024年12月或2025年动工。

三星表示，目前High-NA EUV仍处于审查推出时机的阶段，将根据市场状况及客户需求决定方向。三星与ASML的合作，比起快速引进High-NA EUV，更重要的是ASML和三星的工程师一同进行研发，使三星能够更完善地使用High-NA EUV。