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台积电开发SOT-MRAM阵列芯片,功耗仅类似技术的1%

编辑:AVA 发布:2024-01-18 11:13

据台媒报道,台积电在次世代MRAM存储器相关技术传捷报,携手工研院开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,搭配创新的运算架构,功耗仅其他类似技术的1%。

台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关MRAM产品线,并手握存储器、车用等市场订单,抢占MRAM商机。

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股市快讯 更新于: 08-23 10:48,数据存在延时

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