权威的存储市场资讯平台English

台积电开发SOT-MRAM阵列芯片,功耗仅类似技术的1%

编辑:AVA 发布:2024-01-18 11:13

据台媒报道,台积电在次世代MRAM存储器相关技术传捷报,携手工研院开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,搭配创新的运算架构,功耗仅其他类似技术的1%。

台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关MRAM产品线,并手握存储器、车用等市场订单,抢占MRAM商机。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 05-19 07:44,数据存在延时

存储原厂
三星电子77400KRW-1.02%
SK海力士189900KRW-1.61%
美光科技125.290USD-2.03%
英特尔31.830USD-0.62%
西部数据72.100USD-2.70%
南亚科62.8TWD-1.88%
主控供应商
群联电子581TWD-1.36%
慧荣科技77.390USD+0.10%
美满科技71.920USD-1.59%
点序78.5TWD-0.51%
国科微47.93CNY+1.18%
品牌/模组
江波龙89.42CNY+0.47%
希捷科技95.270USD-3.02%
宜鼎国际279TWD-0.71%
创见资讯109TWD+0.93%
威刚科技108TWD-1.82%
世迈科技20.240USD+1.96%
朗科科技23.92CNY+0.59%
佰维存储47.92CNY-1.66%
德明利88.87CNY+0.93%
大为股份10.95CNY+0.55%
封装厂商
华泰电子60.5TWD+1.51%
力成169TWD+0.6%
长电科技25.97CNY+0.50%
日月光151.5TWD+1%
通富微电20.82CNY+0.29%
华天科技8.27CNY+1.72%