韩媒称三星和SK海力士明年将增加半导体投资及存储芯片产能

据韩媒报道，三星和SK海力士明年将在今年的基础上增加半导体设备投资，其中，三星电子计划投资约27万亿韩元（约合208亿美元），SK海力士计划投资约5.3万亿韩元（约合40.8亿美元）。与今年相比，分别增长了25%和100%。三星电子明年将继续增长，SK海力士则选择恢复到2022年的水平。

三星电子和SK海力士还将增加新的一年半导体的出货量。据了解，三星电子计划将DRAM和NAND的产量分别比今年扩大到24%左右。具体来说，以月投入晶圆为准，DRAM为16至15纳米级（D1z）25万张，14纳米级（D1a）18万张，13至12纳米级（D1b）23万张。SK海力士计划以HBM等最高端DRAM为中心扩大产量，计划将 DRAM 产量提高到减产前的水平，即去年年底前的水平。

三星电子和SK海力士从去年年末开始正式减产。工厂开工率仅50%，减产幅度很大。两家公司明年DRAM产量与减产前持平或超过，NAND预计不及减产前的水平。据悉，NAND市场恢复缓慢。

两家公司增加设备投资和产量的原因是为改善行业状况做好准备。尽管全球经济的不确定性依然存在，但有多种解读认为今年已经触底。