三星电子公布闪存技术新发现

三星电子研究人员关于存储半导体的论文发表在世界一流学术期刊上。通过在原子层面揭示闪存的基本工作原理，预计这将成为下一代NAND开发的起点。

三星电子通过其官方新闻室宣布，其内部创新中心CSE团队已成功确定闪存的存储原理。

CSE团队发现了非晶氮化硅中电子稳定存储的基本原理，这在存储闪存信息中起着关键作用。相关论文因其卓越性而获得认可，并发表在全球学术期刊Advanced Materials上。

目前主流的NAND技术是V-NAND，通过垂直堆叠单元来提高存储容量和性能。然而，随着V-NAND不断小型化，它已经达到了一个阶段，如果没有对原子级别发生的现象有基本的了解，就很难实现创新。

这是由NAND的特性决定的。与由于原子排列规则而易于表征的晶体不同，闪存中使用的材料具有非晶态的特性，其中原子以无序的方式排列。

因此，CSE团队分析了构成氮化硅的硅（Si）和氮（N）原子的键合方法。结果发现，氮化硅结构中化学键在稳定捕获电子的同时发生变化。三星电子认为，这一发现可能对未来闪存技术的发展产生积极影响。

CSE团队表示：“随着迄今为止一直被忽视的闪存在原子级别的工作原理被揭示，工程师将能够从新的角度看待现有数据，这将带来V-NAND的创新。我认为我们可以利用闪存加速人工智能等核心技术的进步。”