三星电子极紫外光刻技术获重大进展：EUV薄膜透过率已达90%

据韩媒报道，三星电子的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。据三星电子 DS 部门研究员 Kang Young-seok介绍，三星使用的EUV薄膜的透过率已达到90%，并计划将其提高至94-96%。EUV 薄膜是用于保护光掩模免受污染同时允许高极紫外光刻 (EUV) 传输的薄膜。它是用于制造半导体的光刻工艺的重要组成部分。

三星已在其为主要客户提供的一些先进 EUV 代工生产线上引入了EUV薄膜。虽然三星也在其DRAM生产线中采用了 EUV 工艺，但考虑到生产率和成本，它认为无需薄膜的内存量产是可行的。

据Kang透露，三星并未使用韩国国内供应商的EUV薄膜，目前日本三井物产是唯一供应商。虽然 FST 和 S&S Tech 等韩国公司正在积极开发 EUV 薄膜，但尚未实现量产。随着更精细工艺和更多ASML EUV光刻机的导入，对薄膜的需求将不断增长，韩国业界关注哪家韩国公司将率先成为三星电子的合作伙伴。

相比之下，三星的代工竞争对手台积电已经在7纳米及更小工艺的生产线上使用自己的EUV薄膜。