编辑:AVA 发布:2023-05-26 09:44
作为下一代DRAM工艺,3D DRAM正在引起业界的广泛关注,据悉,美光和SK海力士都致力于该技术的研究,美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利。
据韩媒报道,三星电子正在开发一种4F² DRAM存储单元结构,这一结构比3D DRAM更现实。如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F²结构相比,芯片die面积可减少30%左右。4F²结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术,据说工艺难点较多。
报道称,多位负责人24日透露,三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,以量产4F²单元结构DRAM为目标,计划将4F²应用于10纳米以下的DRAM制程,以目前的技术预计将面临线宽缩减的极限。
存储原厂 |
三星电子 | 54200 | KRW | -0.91% |
SK海力士 | 200000 | KRW | +1.57% |
铠侠 | 2058 | JPY | -0.82% |
美光科技 | 94.830 | USD | -1.05% |
西部数据 | 49.840 | USD | +0.71% |
闪迪 | 37.840 | USD | -1.97% |
南亚科技 | 42.55 | TWD | -0.70% |
华邦电子 | 17.75 | TWD | -0.56% |
主控厂商 |
群联电子 | 502 | TWD | -2.33% |
慧荣科技 | 65.070 | USD | +0.56% |
联芸科技 | 39.02 | CNY | +0.10% |
点序 | 57.9 | TWD | -0.52% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.14 | CNY | -1.72% |
希捷科技 | 108.860 | USD | +4.24% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 92.5 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 18.040 | USD | -0.33% |
朗科科技 | 22.27 | CNY | -4.01% |
佰维存储 | 58.12 | CNY | -2.71% |
德明利 | 111.23 | CNY | -1.48% |
大为股份 | 14.13 | CNY | -2.69% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.15 | TWD | -0.80% |
力成 | 119.5 | TWD | +1.27% |
长电科技 | 32.63 | CNY | -0.79% |
日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
通富微电 | 23.55 | CNY | -2.04% |
华天科技 | 8.90 | CNY | -1.22% |
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