编辑:AVA 发布:2023-05-26 09:44
作为下一代DRAM工艺,3D DRAM正在引起业界的广泛关注,据悉,美光和SK海力士都致力于该技术的研究,美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利。
据韩媒报道,三星电子正在开发一种4F² DRAM存储单元结构,这一结构比3D DRAM更现实。如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F²结构相比,芯片die面积可减少30%左右。4F²结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术,据说工艺难点较多。
报道称,多位负责人24日透露,三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,以量产4F²单元结构DRAM为目标,计划将4F²应用于10纳米以下的DRAM制程,以目前的技术预计将面临线宽缩减的极限。
存储原厂 |
三星电子 | 62600 | KRW | +2.62% |
SK海力士 | 294500 | KRW | -0.84% |
铠侠 | 2488 | JPY | -2.70% |
美光科技 | 124.530 | USD | +1.15% |
西部数据 | 66.140 | USD | +1.66% |
闪迪 | 46.090 | USD | -1.83% |
南亚科技 | 42.95 | TWD | -8.91% |
华邦电子 | 18.45 | TWD | -0.27% |
主控厂商 |
群联电子 | 492.0 | TWD | -0.20% |
慧荣科技 | 73.470 | USD | -1.82% |
联芸科技 | 40.64 | CNY | +0.40% |
点序 | 51.9 | TWD | +0.97% |
品牌/模组 |
江波龙 | 81.59 | CNY | +1.32% |
希捷科技 | 147.180 | USD | +1.85% |
宜鼎国际 | 239.0 | TWD | -1.24% |
创见资讯 | 96.8 | TWD | -0.10% |
威刚科技 | 94.7 | TWD | 0.00% |
世迈科技 | 24.100 | USD | +1.13% |
朗科科技 | 23.73 | CNY | +1.80% |
佰维存储 | 66.77 | CNY | +1.61% |
德明利 | 81.10 | CNY | -2.41% |
大为股份 | 17.43 | CNY | -0.80% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.55 | TWD | 0.00% |
力成 | 136.0 | TWD | +0.37% |
长电科技 | 33.51 | CNY | +1.30% |
日月光 | 150.0 | TWD | 0.00% |
通富微电 | 25.48 | CNY | +2.29% |
华天科技 | 9.93 | CNY | +1.64% |
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