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与美光、SK海力士分道扬镳,传三星不走3D DRAM路线

编辑:AVA 发布:2023-05-26 09:44

作为下一代DRAM工艺,3D DRAM正在引起业界的广泛关注,据悉,美光和SK海力士都致力于该技术的研究,美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利。

据韩媒报道,三星电子正在开发一种4F² DRAM存储单元结构,这一结构比3D DRAM更现实。如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F²结构相比,芯片die面积可减少30%左右。4F²结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术,据说工艺难点较多。

报道称,多位负责人24日透露,三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,以量产4F²单元结构DRAM为目标,计划将4F²应用于10纳米以下的DRAM制程,以目前的技术预计将面临线宽缩减的极限。

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股市快讯 更新于: 05-31 17:36,数据存在延时

存储原厂
三星电子71400KRW-1.24%
SK海力士108600KRW-1.54%
美光科技71.69USD-3.03%
英特尔29.99USD+3.41%
西部数据39.95USD+0.60%
南亚科73.5TWD+2.23%
主控供应商
群联电子427.5TWD+2.76%
慧荣科技62.41USD+1.94%
美满科技63.40USD-3.22%
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国科微96.46CNY+1.32%
品牌/销售
江波龙121.38CNY+4.95%
希捷科技61.00USD-2.07%
宜鼎国际335TWD+2.92%
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封装厂商
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长电科技31.20CNY-0.51%
日月光111.5TWD0%
通富微电24.77CNY-1.51%
华天科技9.72CNY-1.22%