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与美光、SK海力士分道扬镳,传三星不走3D DRAM路线

编辑:AVA 发布:2023-05-26 09:44

作为下一代DRAM工艺,3D DRAM正在引起业界的广泛关注,据悉,美光和SK海力士都致力于该技术的研究,美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利。

据韩媒报道,三星电子正在开发一种4F² DRAM存储单元结构,这一结构比3D DRAM更现实。如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F²结构相比,芯片die面积可减少30%左右。4F²结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术,据说工艺难点较多。

报道称,多位负责人24日透露,三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,以量产4F²单元结构DRAM为目标,计划将4F²应用于10纳米以下的DRAM制程,以目前的技术预计将面临线宽缩减的极限。

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股市快讯 更新于: 05-23 15:20,数据存在延时

存储原厂
三星电子54200KRW-0.91%
SK海力士200000KRW+1.57%
铠侠2058JPY-0.82%
美光科技94.830USD-1.05%
西部数据49.840USD+0.71%
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南亚科技42.55TWD-0.70%
华邦电子17.75TWD-0.56%
主控厂商
群联电子502TWD-2.33%
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德明利111.23CNY-1.48%
大为股份14.13CNY-2.69%
封测厂商
华泰电子37.15TWD-0.80%
力成119.5TWD+1.27%
长电科技32.63CNY-0.79%
日月光142.5TWD-1.72%
通富微电23.55CNY-2.04%
华天科技8.90CNY-1.22%