编辑:AVA 发布:2023-05-26 09:44
作为下一代DRAM工艺,3D DRAM正在引起业界的广泛关注,据悉,美光和SK海力士都致力于该技术的研究,美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利。
据韩媒报道,三星电子正在开发一种4F² DRAM存储单元结构,这一结构比3D DRAM更现实。如果成功的话,据说在不改变节点的情况下,与现有的6F²结构相比,芯片die面积可减少30%左右。4F²结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术,据说工艺难点较多。
报道称,多位负责人24日透露,三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,以量产4F²单元结构DRAM为目标,计划将4F²应用于10纳米以下的DRAM制程,以目前的技术预计将面临线宽缩减的极限。
存储原厂 |
三星电子 | 80900 | KRW | +0.62% |
SK海力士 | 191800 | KRW | +0.95% |
美光科技 | 109.410 | USD | +1.82% |
英特尔 | 31.350 | USD | +0.80% |
西部数据 | 68.260 | USD | +2.66% |
南亚科 | 58.1 | TWD | -4.13% |
华邦电子 | 23.45 | TWD | -1.88% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -4.83% |
慧荣科技 | 70.080 | USD | +2.04% |
美满科技 | 65.720 | USD | +2.70% |
点序 | 67.2 | TWD | -0.88% |
国科微 | 51.94 | CNY | +0.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.72 | CNY | +0.93% |
希捷科技 | 103.680 | USD | -0.27% |
宜鼎国际 | 282.5 | TWD | -3.25% |
创见资讯 | 95.8 | TWD | -2.84% |
威刚科技 | 92.3 | TWD | -3.25% |
世迈科技 | 23.170 | USD | +1.80% |
朗科科技 | 17.05 | CNY | -0.64% |
佰维存储 | 52.46 | CNY | -1.35% |
德明利 | 77.11 | CNY | +0.47% |
大为股份 | 9.23 | CNY | +1.32% |
封测厂商 |
华泰电子 | 49.4 | TWD | -4.82% |
力成 | 189 | TWD | +2.72% |
长电科技 | 32.20 | CNY | +0.34% |
日月光 | 155.5 | TWD | -9.86% |
通富微电 | 21.91 | CNY | +1.39% |
华天科技 | 8.26 | CNY | +0.61% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2