GF、Everspin宣布联手利用12nm FinFET工艺打造新一代STT-MRAM

近日，GlobalFoundries、Everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)，包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一种读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存的非易失性存储，通过自旋电流实现数据写入，具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点。其前景被Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头看好。

然而其容量密度提升有困难，因此短期内不会替代内存和闪存。GlobalFoundries、Everspin在MRAM的研发上合作已久，2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的，单颗容量32MB，2019年的第二代则升级为GF 28nm，单颗容量翻了两番达到128MB。

目前已经进一步升级到12nm，进一步提升了MRAM的容量密度，并继续降低成本，尤其是随着MRAM芯片容量的提高，迫切需要更先进的工艺。

GF 12nm工艺包括12LP、12LP+两个版本，虽然算不上多先进但也有广阔的用武之地，尤其适合控制器、微控制器等，比如群联电子、Sage的不少企业级SSD主控都计划加入eMRAM，从而提升性能、降低延迟、提高QoS。