台积电5nm制程测试片良率已超80%

据媒体报道，日前在IEDM大会上，台积电官方披露了5纳米制程的最新进展。

台积电表示，5纳米将会是台积电的另一个重要制程节点，其中将分为N5、N5P两个版本。N5相较于当前N7的7纳米制程，性能要再提升15%、功耗降低30%。N5P则将在N5的基础上再将性能提升7%、功耗降低15%。

据悉，台积电的5纳米将使用第五代FinFET技术，EUV极紫外光刻技术也提升到10多个光刻层，整体density提升84%。换句话说，以7纳米是每平方公厘9627万个电晶体计算，则5纳米就将是每平方公里有1.771亿个电晶体。

同时，台积电强调，目前5纳米制程正在进行风险试产阶段，而测试芯片的良率平均已达80%，最高良率可超过90%，只是，相对来说，这些测试芯片的架构相对简单，要真的生产移动或个人电脑处理器芯片上，目前良率可能还有些差距。不过，台积电目前并没有公开正式数据。

另外，台积电还公布了5纳米制程下的CPU和GPU芯片的电压、频率相对关系。目前CPU通过测试的最低值是0.7V/1.5GHz，最高可以做到1.2V/3.25GHz，而GPU方面则是最低0.65V/0.66GHz，而最高则是达到1.2V/1.43GHz。这些公布的结果都是初期的报告，未来正式投产之后，后续将还会提升。

据投行预估，台积电的5纳米制程将在2020年上半年，甚至最快在2020年第1季末就会投入大规模量产，相关芯片产品将在2020年晚些时候陆续登场。

而包括苹果A14、华为海思麒麟系列新一代处理器，以及AMD Zen4架构第四代Ryzen CPU都将会采用。而初期的产能规划每月4.5万片，而未来将逐步拉高到8万片的数字，只是初期的产能将可能由苹果吃下70%，其余的就由华为海思包下。