Altera采台积先进封装技术

美商Altera与台积电（2330）昨日共同宣布，双方将携手合作，采用台积所拥有专利的细间距铜凸块封装技术，为Altera打造20奈米Arria 10 FPGA（可编程闸阵列芯片）与SoC（系统单芯片），而Altera也成为首家采用台积此先进封装技术导入量产的公司。

日月光矽品受威胁

台积电积极布局自有高阶封测技术逐渐获得成效，对后段封测业者日月光（2311）、矽品（2325）等也带来威胁，这次以专利细间距铜凸块封装技术获得Altera青睐之外，也宣告双方合作关系依旧紧密。

台积北美子公司资深副总经理David Keller表示，台积铜凸块封装技术，是针对使用超低介电材料以及需要微间距（小于150微米）凸块的先进矽晶产品，此项技术的生产级组装良率优于99.8%。

Altera全球营运及工程副总裁Bill Mazotti表示，台积提供非常先进且高度整合的封装解决方案，来支援Altera的Arria 10元件，该项产品为业界最高密度的20奈米FPGA单晶片。

Bill Mazotti说，相较于一般标准型铜凸块解决方案，台积先进的细间距铜凸块提供更优异的品质与可靠性，能够满足高性能FPGA产品对多凸块接点的需求，亦提供较佳的凸块焊接点疲劳寿命。

Altera是台积电的重要大客户之一，先前曾经与英特尔合作而引发市场疑虑，不过，Altera并未减轻对台积电在高阶制程的依赖，显示即使未来部分产品在英特尔代工，台积电依旧会是最重要的合作伙伴。 

联电可望夺高通订单

另外，联电（2303）在高阶制程也传出好消息，外资高盛证券认为，联电28奈米HKMG（高介电常数金属闸极）制程技术将有机会获得高通订单，最快于今年9月就有机会为高通开始量产28奈米HKMG制程的订单。

高盛分析，不同于三星与格罗方德阵营采用的是前闸极技术，联电很有可能成为2014~2015年，除了台积之外，唯一采用后闸极技术的28奈米HKMG制程供应商。高盛乐观预期，联电可望于2014~2015年看到28奈米HKMG制程的强劲需求，有机会缩短与台积间的技术差距。