ORNAND是以第二代MirrorBit技术为基础，第一代MirrorBit技术由AMD公司在2001年提出，目的是克服NOR闪存密度低的缺陷，开发出较大容量的产品。
Spansion MirrorBit技术的功能与英特尔的MLC方案非常类似，它也是通过让一个基本存储单元中存储两个比特位，实现容量增倍的目的。但MLC只是利用一个浮动栅，通过精确的电荷控制来实现双比特位的表达，而MirrorBit技术则是在一个浮动栅的两侧分别构建彼此独立的信息位，两者通过非导体硅间隔（MLC为导体硅材料）。这样每个信息位在读取或编程操作时都不会影响到另一侧的信息位，由此在一个存储单元内实现两个比特位信息的存储，相当于记录密度提高了一倍，而所付出的代价就是需要少许增加晶体管内的逻辑单元。在操作模式方面，MirrorBit也明显优于MLC，后者要求以一个浮动栅内的两位比特作为基本操作单位，也就是无论读取、写入、擦除都必须同时涉及这两个比特位，不仅做法僵化且带来高功耗、低性能和低可靠性的弊端；MirrorBit仍然以单个比特作为基本操作单元，浮动栅两侧的信息位不会相互干扰，效果等同于拥有两个浮动栅，因此MirrorBit闪存可具有与SLC相同的低功耗、高性能和高可靠性优点，又能够将存储密度提高一倍，堪称一项完美的解决方案。再者，MirrorBit技术拥有更低的制造成本，其关键制造步骤要比传统的NOR减少40％，总体制造步骤则可以减少10％，这在很大程度上降低了芯片的制造成本。遗憾的是，由于Spansion的半导体制造实力远逊于英特尔，产品制造成本较高，MirrorBit在这方面的优势也无从发挥，这也是在过去两年间英特尔在市场上击败Spansion的主要缘由。
