编辑:Helan 发布:2009-10-23 16:26
MLC(Multi-Level-Cell)技术,由英特尔于1997年率先推出,能够让单个存储单元保存两倍的数据量。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案,可大幅节省制造商端的成本,但是MLC NAND颗粒制成的CompactFlash卡相较于SLC(Single-Lecel_Cell)内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点,MLC颗粒制成的产品只有10X(1.5Mbyte/sec)的写入速度,SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X(3.2Mbyte/sec)的写入速度。Intel 在1997年9月最先开发成功,能够让单个存储单元保存两倍的数据量;
SLC 与 MLC 的参数对比:
Item SLC MLC
电压 3.3V/1.8V 3.3V
生产工艺 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um
页容量 / 块容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB
访问时间(最大) 25us 70us
页编程时间(典型) 250us 1.2ms
可否局部编程 Yes No
擦写次数 100K 10K
数据写入速率 8MB/S+ 1.5MB/S
存储原厂 |
三星电子 | 55500 | KRW | -0.54% |
SK海力士 | 177500 | KRW | -1.83% |
铠侠 | 1833 | JPY | -1.19% |
美光科技 | 78.335 | USD | +1.80% |
西部数据 | 44.590 | USD | +1.66% |
闪迪 | 33.470 | USD | +4.24% |
南亚科 | 36.00 | TWD | -3.23% |
华邦电子 | 15.75 | TWD | -1.25% |
主控厂商 |
群联电子 | 447.5 | TWD | -0.33% |
慧荣科技 | 49.125 | USD | -0.76% |
联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
点序 | 55.4 | TWD | -0.18% |
国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
希捷科技 | 92.045 | USD | +1.12% |
宜鼎国际 | 233.0 | TWD | -2.92% |
创见资讯 | 100.0 | TWD | -3.38% |
威刚科技 | 83.7 | TWD | -0.12% |
世迈科技 | 17.200 | USD | +0.76% |
朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
封测厂商 |
华泰电子 | 31.90 | TWD | -4.49% |
力成 | 108.5 | TWD | -2.69% |
长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
日月光 | 135.5 | TWD | -2.17% |
通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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