编辑:Helan 发布:2009-10-23 16:26
MLC(Multi-Level-Cell)技术,由英特尔于1997年率先推出,能够让单个存储单元保存两倍的数据量。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案,可大幅节省制造商端的成本,但是MLC NAND颗粒制成的CompactFlash卡相较于SLC(Single-Lecel_Cell)内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点,MLC颗粒制成的产品只有10X(1.5Mbyte/sec)的写入速度,SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X(3.2Mbyte/sec)的写入速度。Intel 在1997年9月最先开发成功,能够让单个存储单元保存两倍的数据量;
SLC 与 MLC 的参数对比:
Item SLC MLC
电压 3.3V/1.8V 3.3V
生产工艺 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um
页容量 / 块容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB
访问时间(最大) 25us 70us
页编程时间(典型) 250us 1.2ms
可否局部编程 Yes No
擦写次数 100K 10K
数据写入速率 8MB/S+ 1.5MB/S
存储原厂 |
三星电子 | 63300 | KRW | -0.78% |
SK海力士 | 270500 | KRW | -2.87% |
铠侠 | 2380 | JPY | -6.59% |
美光科技 | 122.290 | USD | +0.45% |
西部数据 | 66.080 | USD | +0.46% |
闪迪 | 46.410 | USD | +0.43% |
南亚科技 | 48.45 | TWD | -4.25% |
华邦电子 | 19.15 | TWD | -3.04% |
主控厂商 |
群联电子 | 478.0 | TWD | -3.24% |
慧荣科技 | 74.810 | USD | +1.11% |
联芸科技 | 41.45 | CNY | -1.61% |
点序 | 52.3 | TWD | -3.15% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.65 | CNY | -2.51% |
希捷科技 | 149.440 | USD | -1.65% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | -1.22% |
创见资讯 | 120.0 | TWD | +4.80% |
威刚科技 | 93.6 | TWD | -2.80% |
世迈科技 | 20.870 | USD | +3.32% |
朗科科技 | 23.77 | CNY | -1.65% |
佰维存储 | 64.97 | CNY | -2.01% |
德明利 | 121.38 | CNY | +2.60% |
大为股份 | 19.15 | CNY | -4.35% |
封测厂商 |
华泰电子 | 38.20 | TWD | -2.92% |
力成 | 134.5 | TWD | -1.47% |
长电科技 | 33.23 | CNY | -0.89% |
日月光 | 147.0 | TWD | +2.08% |
通富微电 | 25.09 | CNY | -1.18% |
华天科技 | 9.89 | CNY | -1.98% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2