编辑:Helan 发布:2009-10-23 16:26
MLC(Multi-Level-Cell)技术,由英特尔于1997年率先推出,能够让单个存储单元保存两倍的数据量。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案,可大幅节省制造商端的成本,但是MLC NAND颗粒制成的CompactFlash卡相较于SLC(Single-Lecel_Cell)内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点,MLC颗粒制成的产品只有10X(1.5Mbyte/sec)的写入速度,SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X(3.2Mbyte/sec)的写入速度。Intel 在1997年9月最先开发成功,能够让单个存储单元保存两倍的数据量;
SLC 与 MLC 的参数对比:
Item SLC MLC
电压 3.3V/1.8V 3.3V
生产工艺 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um
页容量 / 块容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB
访问时间(最大) 25us 70us
页编程时间(典型) 250us 1.2ms
可否局部编程 Yes No
擦写次数 100K 10K
数据写入速率 8MB/S+ 1.5MB/S
存储原厂 |
三星电子 | 70750 | KRW | +0.64% |
SK海力士 | 258000 | KRW | -1.34% |
铠侠 | 2428 | JPY | -0.21% |
美光科技 | 116.500 | USD | +0.07% |
西部数据 | 79.710 | USD | +0.62% |
闪迪 | 47.350 | USD | +1.22% |
南亚科技 | 47.70 | TWD | +0.53% |
华邦电子 | 19.80 | TWD | +5.60% |
主控厂商 |
群联电子 | 485.0 | TWD | +0.62% |
慧荣科技 | 79.000 | USD | +1.70% |
联芸科技 | 54.24 | CNY | +3.91% |
点序 | 53.5 | TWD | +0.94% |
品牌/模组 |
江波龙 | 101.66 | CNY | +2.99% |
希捷科技 | 165.240 | USD | +0.76% |
宜鼎国际 | 297.5 | TWD | +9.98% |
创见资讯 | 100.0 | TWD | +1.52% |
威刚科技 | 100.0 | TWD | -0.50% |
世迈科技 | 24.430 | USD | -0.16% |
朗科科技 | 29.79 | CNY | +4.64% |
佰维存储 | 73.81 | CNY | +5.56% |
德明利 | 99.51 | CNY | +1.26% |
大为股份 | 18.96 | CNY | +1.12% |
封测厂商 |
华泰电子 | 44.50 | TWD | -0.34% |
力成 | 119.5 | TWD | +0.84% |
长电科技 | 40.37 | CNY | +3.54% |
日月光 | 150.5 | TWD | +1.01% |
通富微电 | 30.66 | CNY | +2.58% |
华天科技 | 11.88 | CNY | +1.71% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2