Flash Memory的标准物理结构，称之为基本位(cell)；一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。
Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。
从技术面分析，根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种，后者依功能别又可区分为Code Flash(储存程序代码)以及Data Flash(储存一般数据)；其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。其对应关系如下：
过去一般闪存大厂如Intel、AMD、或是台湾的旺宏等，都是以生产NOR Flash闻名，最常见的应用就是行动电话；虽然这种NOR内存的读写速度快，但高成本却是个问题。另一种名为NAND Flash的半导体技术容量较大，这种内存多用在一般需要大容量的记忆卡、USB随身，或MP3随身听中。
