编辑:Helan 发布:2009-10-19 16:40
产生坏块的原因是因为NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,所以,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。
一、坏块的具体表现:
当编程/擦除这个块时,不能将某些位拉高,这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位。
二、坏块的种类:
1.先天性坏块
这种坏块是在生产过程中产生的,一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。
2. 后天性坏块
这种坏块是在NAND Flash使用过程中产生的,如果Block Erase或者Page Program错误,就可以简单地将这个块作为坏块来处理,这个时候需要把坏块标记起来。为了和先天性坏块信息保持一致,将新发现的坏块的第一个page的spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。
三、坏块的处理
理解了先天性坏块和后天性坏块后,我们已明白NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息,因此,如果在擦除一个块之前,一定要先check一下spare area的第6个byte是否是0xff,如果是就证明这是一个好块,可以擦除;如果是非0xff,那么就不能擦除。不过,这样处理可能会错杀伪坏块,因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是,为了数据的可靠性及软件设计的简单化,坏块一个也不能放过。
四、错杀坏块的补救方法
如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块,首先就要把其他好的page里面的内容备份到另外一个空的好块里面,然后,把这个块标记为坏块。当发生"错杀"之后,我们可以在进行完页备份之后,再将这个块擦除一遍,如果Block Erase发生错误,那就证明这个块是个真正的坏块,放心的做好标记吧!
最后需要补充说明的是,之所以要使用spare area的第六个byte作为坏块标记,是因为NAND Flash生产商的默认约定,例如:Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用这个Byte作为坏块标记的。
存储原厂 |
三星电子 | 89000 | KRW | +3.49% |
SK海力士 | 395500 | KRW | +9.86% |
铠侠 | 6130 | JPY | -3.01% |
美光科技 | 190.960 | USD | +1.67% |
西部数据 | 125.280 | USD | -4.59% |
闪迪 | 121.170 | USD | -5.64% |
南亚科技 | 90.2 | TWD | +8.67% |
华邦电子 | 42.65 | TWD | +9.92% |
主控厂商 |
群联电子 | 882 | TWD | +6.39% |
慧荣科技 | 99.990 | USD | +1.15% |
联芸科技 | 65.80 | CNY | +7.03% |
点序 | 67.1 | TWD | +5.17% |
品牌/模组 |
江波龙 | 178.03 | CNY | +20.00% |
希捷科技 | 242.830 | USD | -3.94% |
宜鼎国际 | 338.5 | TWD | -0.29% |
创见资讯 | 117.5 | TWD | +3.52% |
威刚科技 | 174.5 | TWD | +0.87% |
世迈科技 | 29.300 | USD | +5.59% |
朗科科技 | 29.10 | CNY | +2.90% |
佰维存储 | 104.30 | CNY | +9.34% |
德明利 | 204.69 | CNY | +10.00% |
大为股份 | 19.71 | CNY | +5.46% |
封测厂商 |
华泰电子 | 48.10 | TWD | +1.58% |
力成 | 159.0 | TWD | +4.61% |
长电科技 | 44.09 | CNY | +7.83% |
日月光 | 174.0 | TWD | +5.14% |
通富微电 | 40.17 | CNY | +5.21% |
华天科技 | 11.78 | CNY | +4.16% |
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