编辑:Helan 发布:2009-10-19 16:40
产生坏块的原因是因为NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,所以,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。
一、坏块的具体表现:
当编程/擦除这个块时,不能将某些位拉高,这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位。
二、坏块的种类:
1.先天性坏块
这种坏块是在生产过程中产生的,一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。
2. 后天性坏块
这种坏块是在NAND Flash使用过程中产生的,如果Block Erase或者Page Program错误,就可以简单地将这个块作为坏块来处理,这个时候需要把坏块标记起来。为了和先天性坏块信息保持一致,将新发现的坏块的第一个page的spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。
三、坏块的处理
理解了先天性坏块和后天性坏块后,我们已明白NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息,因此,如果在擦除一个块之前,一定要先check一下spare area的第6个byte是否是0xff,如果是就证明这是一个好块,可以擦除;如果是非0xff,那么就不能擦除。不过,这样处理可能会错杀伪坏块,因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是,为了数据的可靠性及软件设计的简单化,坏块一个也不能放过。
四、错杀坏块的补救方法
如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块,首先就要把其他好的page里面的内容备份到另外一个空的好块里面,然后,把这个块标记为坏块。当发生"错杀"之后,我们可以在进行完页备份之后,再将这个块擦除一遍,如果Block Erase发生错误,那就证明这个块是个真正的坏块,放心的做好标记吧!
最后需要补充说明的是,之所以要使用spare area的第六个byte作为坏块标记,是因为NAND Flash生产商的默认约定,例如:Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用这个Byte作为坏块标记的。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 100600 | KRW | +3.50% |
| SK海力士 | 606000 | KRW | +8.21% |
| 铠侠 | 11165 | JPY | +11.37% |
| 美光科技 | 246.830 | USD | +4.17% |
| 西部数据 | 157.830 | USD | +0.43% |
| 闪迪 | 254.160 | USD | +4.35% |
| 南亚科技 | 166.5 | TWD | +5.05% |
| 华邦电子 | 66.2 | TWD | +9.78% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1290 | TWD | +2.38% |
| 慧荣科技 | 86.740 | USD | +0.74% |
| 联芸科技 | 50.30 | CNY | -1.55% |
| 点序 | 76.0 | TWD | -1.17% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 287.73 | CNY | -1.15% |
| 希捷科技 | 258.210 | USD | -1.66% |
| 宜鼎国际 | 542 | TWD | +3.83% |
| 创见资讯 | 199.0 | TWD | +1.53% |
| 威刚科技 | 208.0 | TWD | -2.58% |
| 世迈科技 | 18.900 | USD | +0.37% |
| 朗科科技 | 30.81 | CNY | -1.94% |
| 佰维存储 | 132.72 | CNY | +4.44% |
| 德明利 | 264.08 | CNY | -2.19% |
| 大为股份 | 27.53 | CNY | -2.45% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 52.4 | TWD | +6.07% |
| 力成 | 164.5 | TWD | +2.49% |
| 长电科技 | 37.08 | CNY | +0.08% |
| 日月光 | 220.0 | TWD | -1.12% |
| 通富微电 | 37.55 | CNY | -0.61% |
| 华天科技 | 11.39 | CNY | -0.18% |
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