编辑: 发布:2009-02-20 14:02
许多人都分不清NOR和NAND闪存,其实我们只要把它们进行简单的对比就可以很好区分开来。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。但是从特性上来说,他们是有区别的。
1.NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行。
2.NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度快。
3.NOR Flash的读速度比NAND稍快一些。
4.NAND Flash的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
5.NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每
一个字节。
6.NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等,它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。
7.NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。缺点是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。
8.NAND Flash的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
9.NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同
。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
10.NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。
11.NAND Flash的写入速度比NOR快很多。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 102000 | KRW | +3.24% |
| SK海力士 | 535000 | KRW | +4.90% |
| 铠侠 | 9810 | JPY | +11.73% |
| 美光科技 | 218.579 | USD | -0.20% |
| 西部数据 | 127.970 | USD | -1.13% |
| 闪迪 | 178.930 | USD | -3.88% |
| 南亚科技 | 120.0 | TWD | +9.59% |
| 华邦电子 | 50.9 | TWD | +9.94% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 968 | TWD | +10.00% |
| 慧荣科技 | 103.910 | USD | +4.82% |
| 联芸科技 | 63.77 | CNY | +4.30% |
| 点序 | 81.9 | TWD | +3.02% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 266.00 | CNY | +19.82% |
| 希捷科技 | 234.810 | USD | +0.29% |
| 宜鼎国际 | 447.0 | TWD | +4.81% |
| 创见资讯 | 137.0 | TWD | +4.58% |
| 威刚科技 | 205.0 | TWD | +9.92% |
| 世迈科技 | 22.940 | USD | +2.41% |
| 朗科科技 | 34.90 | CNY | +5.18% |
| 佰维存储 | 127.81 | CNY | +7.31% |
| 德明利 | 238.61 | CNY | +10.00% |
| 大为股份 | 25.58 | CNY | +10.02% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 49.25 | TWD | +4.68% |
| 力成 | 160.5 | TWD | +7.00% |
| 长电科技 | 42.09 | CNY | +2.78% |
| 日月光 | 202.5 | TWD | +3.32% |
| 通富微电 | 43.94 | CNY | +4.92% |
| 华天科技 | 12.47 | CNY | +4.53% |
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