编辑: 发布:2009-02-20 14:02
许多人都分不清NOR和NAND闪存,其实我们只要把它们进行简单的对比就可以很好区分开来。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。但是从特性上来说,他们是有区别的。
1.NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行。
2.NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度快。
3.NOR Flash的读速度比NAND稍快一些。
4.NAND Flash的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
5.NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每
一个字节。
6.NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等,它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。
7.NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。缺点是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。
8.NAND Flash的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
9.NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同
。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
10.NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。
11.NAND Flash的写入速度比NOR快很多。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 108900 | KRW | +1.49% |
| SK海力士 | 571000 | KRW | +1.06% |
| 铠侠 | 9890 | JPY | +2.91% |
| 美光科技 | 241.140 | USD | -6.70% |
| 西部数据 | 176.340 | USD | -5.80% |
| 闪迪 | 206.180 | USD | -14.66% |
| 南亚科技 | 162.0 | TWD | +3.85% |
| 华邦电子 | 74.6 | TWD | +9.06% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1125 | TWD | +1.81% |
| 慧荣科技 | 87.710 | USD | -5.95% |
| 联芸科技 | 46.46 | CNY | +2.24% |
| 点序 | 69.3 | TWD | +1.17% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 265.55 | CNY | +2.53% |
| 希捷科技 | 287.640 | USD | -6.56% |
| 宜鼎国际 | 500 | TWD | +5.71% |
| 创见资讯 | 181.5 | TWD | +4.31% |
| 威刚科技 | 185.5 | TWD | +1.92% |
| 世迈科技 | 20.840 | USD | -4.54% |
| 朗科科技 | 26.73 | CNY | +0.49% |
| 佰维存储 | 116.67 | CNY | +1.08% |
| 德明利 | 214.69 | CNY | -1.11% |
| 大为股份 | 26.44 | CNY | -2.07% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 50.9 | TWD | +9.82% |
| 力成 | 162.0 | TWD | 0.00% |
| 长电科技 | 36.82 | CNY | +1.13% |
| 日月光 | 243.5 | TWD | -0.41% |
| 通富微电 | 37.18 | CNY | +1.28% |
| 华天科技 | 11.01 | CNY | +1.38% |
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