编辑: 发布:2009-02-20 14:02
许多人都分不清NOR和NAND闪存,其实我们只要把它们进行简单的对比就可以很好区分开来。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。但是从特性上来说,他们是有区别的。
1.NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行。
2.NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度快。
3.NOR Flash的读速度比NAND稍快一些。
4.NAND Flash的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
5.NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每
一个字节。
6.NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等,它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。
7.NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。缺点是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。
8.NAND Flash的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
9.NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同
。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
10.NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。
11.NAND Flash的写入速度比NOR快很多。
存储原厂 |
三星电子 | 77400 | KRW | -1.02% |
SK海力士 | 189900 | KRW | -1.61% |
美光科技 | 125.290 | USD | -2.03% |
英特尔 | 31.830 | USD | -0.62% |
西部数据 | 72.100 | USD | -2.70% |
南亚科 | 62.8 | TWD | -1.88% |
主控供应商 |
群联电子 | 581 | TWD | -1.36% |
慧荣科技 | 77.390 | USD | +0.10% |
美满科技 | 71.920 | USD | -1.59% |
点序 | 78.5 | TWD | -0.51% |
国科微 | 47.93 | CNY | +1.18% |
品牌/模组 |
江波龙 | 89.42 | CNY | +0.47% |
希捷科技 | 95.270 | USD | -3.02% |
宜鼎国际 | 279 | TWD | -0.71% |
创见资讯 | 109 | TWD | +0.93% |
威刚科技 | 108 | TWD | -1.82% |
世迈科技 | 20.240 | USD | +1.96% |
朗科科技 | 23.92 | CNY | +0.59% |
佰维存储 | 47.92 | CNY | -1.66% |
德明利 | 88.87 | CNY | +0.93% |
大为股份 | 10.95 | CNY | +0.55% |
封装厂商 |
华泰电子 | 60.5 | TWD | +1.51% |
力成 | 169 | TWD | +0.6% |
长电科技 | 25.97 | CNY | +0.50% |
日月光 | 151.5 | TWD | +1% |
通富微电 | 20.82 | CNY | +0.29% |
华天科技 | 8.27 | CNY | +1.72% |
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