编辑: 发布:2009-02-20 14:02
许多人都分不清NOR和NAND闪存,其实我们只要把它们进行简单的对比就可以很好区分开来。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。但是从特性上来说,他们是有区别的。
1.NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行。
2.NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度快。
3.NOR Flash的读速度比NAND稍快一些。
4.NAND Flash的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
5.NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每
一个字节。
6.NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等,它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。
7.NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,由于工艺上的不同,它比NOR FLASH拥有更大存储容量,而且便宜。缺点是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。
8.NAND Flash的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
9.NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同
。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
10.NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。
11.NAND Flash的写入速度比NOR快很多。
存储原厂 |
三星电子 | 55700 | KRW | -0.36% |
SK海力士 | 200500 | KRW | -0.74% |
铠侠 | 2173 | JPY | -0.59% |
美光科技 | 96.620 | USD | -1.51% |
西部数据 | 49.860 | USD | -1.52% |
闪迪 | 39.090 | USD | -2.71% |
南亚科技 | 43.65 | TWD | -3.54% |
华邦电子 | 18.15 | TWD | -2.16% |
主控厂商 |
群联电子 | 513 | TWD | +1.79% |
慧荣科技 | 64.940 | USD | -0.25% |
联芸科技 | 40.25 | CNY | -0.86% |
点序 | 58.7 | TWD | +2.44% |
品牌/模组 |
江波龙 | 75.25 | CNY | -1.30% |
希捷科技 | 104.655 | USD | -2.16% |
宜鼎国际 | 245.5 | TWD | +0.20% |
创见资讯 | 105.5 | TWD | +1.93% |
威刚科技 | 93.0 | TWD | +0.32% |
世迈科技 | 18.280 | USD | -3.02% |
朗科科技 | 23.69 | CNY | -4.24% |
佰维存储 | 60.09 | CNY | -2.36% |
德明利 | 116.54 | CNY | -1.50% |
大为股份 | 14.44 | CNY | -1.77% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.10 | TWD | +1.64% |
力成 | 118.5 | TWD | +1.72% |
长电科技 | 33.07 | CNY | -0.81% |
日月光 | 144.5 | TWD | +0.35% |
通富微电 | 24.27 | CNY | -0.98% |
华天科技 | 9.13 | CNY | -0.98% |
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