三星840 EVO mSATA接口的SSD系列专为超薄本而设计,最高容量高达1TB,速度迅捷,性能卓越,功耗更少。
三星
2014-01-16
采用20nm NAND Flash,有SATAIII、mSATA和M.2三种规格形态,接口速度可达6Gbps,128GB和256GB容量选择。
美光
2014-01-16
采用标准SATA III接口,最高520/400MB/s的读写速度,提供64GB-256GB存储容量,低功耗,启动速度快。
金胜
2014-01-04
采用标准SATAⅢ接口,最高450/300MB/s的读写速度,提供64GB-256GB存储容量,低功耗,启动速度快。
金胜
2013-12-20
采用halfslim接口,SATA 6Gbps接口传输速度,最高450/300MB/s的读写速度,提供64GB-256GB存储容量。
金胜
2013-12-18
采用标准mSATA接口,SATA 6Gbps接口传输速度,最高450/300MB/s的读写速度,提供32GB-256GB存储容量。
金胜
2013-11-13
采用SK海力士自己2ynm Flash,单颗Flash Die容量64Gb,容量提供60GB-480GB,采用SATA III接口。
SK海力士
2013-11-05
采用19nm NAND Flash,SATAIII接口,读写速度均超过500MB/s,专为游戏玩家等高端用户设计。
铠侠
2013-11-01
采用标准mSATA接口,SATA 3Gbps接口传输速度,最高190/120MB/s的读写速度,提供16GB-128GB存储容量。
金胜
2013-10-22
有M.2、mSATA、SATAIII多种规格,采用SF-2281主控芯片,20nm MLC NAND,最高540MB/s和480MB/s读写速度。
英特尔
2013-09-05
采用Sandforce控制芯片和高速的同步NAND Flash,为追求高效能电脑、高阶电玩游戏、多处理的用户所设计。
胜创
2013-08-23
提供32GB-128GB容量,读取速度最高可达410MB/秒,写入速度可达180MB/秒。
威刚
2013-08-22
V300系列采用东芝19nm NAND和LSI-SandForce SF-228控制芯片,450MB/秒的读写速度,V+200系列读写低。
金士顿
2013-08-22
840 EVO系列采用三星1xnm NAND Flash,MEX新控制器,最高容量高达1TB,最高读写均达500MB/秒以上。
三星
2013-08-14
Velox V50系列最高读写450MB/秒、330MB/秒,存储32GB-256GB,面向要求一般的用户使用,厚度9.5mm。
广颖电通
2013-08-13