Micron 3D TLC B27B提供64GB-512GB多种容量选择，支持LDPC纠错。
Samsung 3D TLC ACGU0D采用16nm工艺，提供8GB-32GB多种容量选择。
Samsung 3D TLC ADGU0M采用19nm工艺，提供16GB-64GB多种容量选择。
据韩媒ZDNet援引业内人士消息称，SK海力士正在与英特尔合作开展2.5D封装技术的研究与开发。据悉，SK海力士正在考虑采用英特尔的2.5D封装技术“嵌入式多芯片互连桥（EMIB），目前正在进行测试，以将HBM和系统半导体与英特尔提供的EMIB嵌入式基板结合使用。
据韩媒援引业内人士消息称，三星电子DS事业部正在商讨恢复对下一代半导体的研发和投资。据悉，此次商讨的重点在于研发方向和设施投资的时间安排，主要新业务包括下一代NAND闪存、化合物半导体以及先进封装和基板。据悉，针对400层以上NAND闪存以及先进封装和基板的投资计划已基本落实。业内人士分析，“三星电子认为其存储器领域的基本竞争力已恢复到一定水平，所以开始重启未来增长引擎的创新。”然而，三星电子工会罢工问题被认为是一个不确定因素。因此，据报道，三星电子目前无法就具体时间做出最终决定。预计只有在劳资冲突解决后，才会真正开始着手寻找新的增长引擎。
据韩媒报道，5月11日，三星劳资双方在国家劳资关系委员会的主持下，恢复了由政府斡旋的调解后谈判。截至当地时间下午3点，谈判尚未取得突破性进展。如果调解后的结果仍然没有达成协议，三星电子历史上第二次大规模罢工的前景预计将成为现实。业内人士认为，如果工会真的在5月21日至6月7日期间举行总罢工，生产中断和供应延迟造成的损失可能高达数万亿韩元。
据台媒报道，慧荣科技总经理苟嘉章预测，在AI投资重心转向推理的带动下，NAND Flash可能一路缺货到2028年，下半年内存价格将持续上涨。他指出，北美云服务商为锁定产能已与原厂积极签订长期合约。然而，即使各大存储厂商现在启动扩产，到形成有效产能至少需要2至3年，无法立刻反应在供给上。由于短期供需缺口难以改善，今年下半年内存价格仍将保持上涨，但涨幅可能小于上半年。价格若持续高涨恐不利产业均衡发展，部分手机与电脑厂商已难以承受成本压力，预计具备采购优势的大型品牌如苹果，市占率将大幅提高。
创见董事长束崇万表示，人工智能带动台湾地区硬件业全面爆发，其中，存储产业已进入超级循环，预计DRAM、NAND Flash不仅今年会缺货、明年也一定缺货，甚至2028年仍可能供不应求。他预计价格还是会涨，只是价格持续上涨后应用端是否能承受，需要密切观察。
宜鼎国际4月单月营收达66.7亿元新台币（折合人民币约14.45亿元），同比大增583.11%，再创历史新高；前4月累计营收达198.53亿元（折合人民币约43亿元），同比增长452.21%，远超去年全年营收。
5月6日，三星（中国）投资有限公司于官网发布三星家电产品业务调整通知称，为应对急剧变化的市场环境，经慎重研究，三星电子决定在中国大陆市场停止销售含电视、显示器在内的所有家电产品。针对已购买三星家电产品的用户，公司仍将严格按照《消费者权益保护法》、国家三包规定等相关法律法规，继续为用户提供规范的售后服务，保障用户合法权益不受影响。
华邦电子在2026年第一季法说会中表示，短期内供给改善空间有限，DDR4/LPDDR4结构性供给缺口预计延续至2028年后。在供给紧缺和AI需求驱动下，2026年第二季度客制化内存价格上涨空间明显，对2026年下半年至2027年维持正向展望。闪存方面，NOR供给在高容量终端强劲需求下持续偏紧，2026年上半年价格仍将维持上行趋势；SLC NAND供给短缺态势加剧，进一步支撑2026年后价格上涨。
华邦电子召开2026年第一季法说会。2026年一季度，公司合并营收达新台币382.53亿元新台币，同比增长91.3%，环比增长43.7%；毛利率为53.4%，同比、环比分别提高27、11个百分点；归属母公司税后净利101.14亿元，同比扭亏为盈，环比195.5%。分业务来看，客制化存储器（CMS）营收同比增长276%，环比增长93%，占总营收比例较上季度提高12个百分点至47%，得益于DDR4/LPDDR4出货量持续增长推动整体出货量季增24%至26%，产品平均售价季增51%至53%。闪存业务营收季增23%，占总营收比例较上季度下降5个百分点至32%；尽管出货量季减11%至13%，但产品平均售价季增34%至36%，高容量产品出货占比持续攀升。展望二季度，24nm SLC NAND将逐步带来显著营收贡献。
截至发稿，三星电子股价上涨超12%，市值达到1万亿美元，成为继台积电之后第二家进入“万亿俱乐部”的亚洲科技企业，并推动韩国综合股价指数突破7000点大关。
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