Toshiba BG3系列

采用M.2接口(为方便使用还有M.2 2230扩展卡)，PCI-E 3.0 x2通道，支持NVMe，容量和上代一样128GB、256GB、5

产品分类：固态硬盘 品牌：铠侠
应用领域： SSD
产品白皮书 发布于：2017-09-06
Toshiba BG3系列 共3个产品
型号 容量 NAND Flash 速度(读) 速度(写) 接口类型 接口速度 厚度 尺寸
KBG30ZMS128G 128GB 64层 TLC 最高1310MB/秒 最高470MB/秒 M.2 PCIe 3.0x2 2.18mm 30mmx22mm
KBG30ZMS256G 256GB 64层 TLC 最高1415MB/秒 最高840MB/秒 M.2 PCIe 3.0x2 2.18mm 30mmx22mm
KBG30ZMS512G 512GB 64层 TLC 最高1520MB/秒 最高1050MB/秒 M.2 PCIe 3.0x2 2.38mm 30mmx22mm

产品概览

Toshiba BG3系列SSD采用M.2接口(为方便使用还有M.2 2230扩展卡)，PCI-E 3.0 x2通道，支持NVMe，128GB、256GB、512GB三种容量选择，128/256GB厚度1.3毫米，512GB厚度1.5毫米。

性能方面，持续读写最高1520MB/s、840MB/s，功耗最大3.2W，价格或与一般SATA SSD差不多。

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1月15日，路透社报道：SK海力士一位高级管理人员表示，由于激增的内存需求给全球供应带来压力，SK海力士计划将一家新工厂的投产时间提前三个月，并将在二月开始运营另一家新工厂。

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据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

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美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

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