SDHC/XC UHS-1 U3系列

存储容量32GB-64GB，最高读取速度可达每秒90MB，最高写入速度也可达每秒40MB。

产品分类：闪存卡 品牌：胜创
应用领域： 平板电脑 超极本 笔记本
产品白皮书 发布于：2014-03-10
SDHC/XC UHS-1 U3系列 共2个产品
容量 速度(读) 速度(写) 速度等级 规格 尺寸 存储温度
32GB 最高90MB/秒 最高40MB /秒 UHS Speed Class 3 SDHC 24mmx32mmx2.1mm -20°C – 85°C
64GB 最高90MB/秒 最高40MB /秒 UHS Speed Class 3 SDXC 24mmx32mmx2.1mm -20°C – 85°C

产品概览

SDHC PRO Extreme行家级超高速系列相机存储卡提供速度极快的效能，最高读取速度可达每秒90MB，最高写入速度也可达每秒40MB，并且全面支持SDA3.0最新规格的高技术UHS-I Speed Calss 3，能满足专业摄录玩家们对捕捉高清相片、Full HD影片、3D影像等高标准需求

特色：

符合最新的UHS-I Speed Class 3标准

SDA3.0标准规格，

速度达Class 10

提供足够的频宽来录制和播放4K2K影片 ，适用于全高清（1080p），超高清（2160P），3D影片读写

最佳产品相容性与稳定性

支持CPRM多媒体内容保护功能

ECC自动错误校正码

Wear Leveling进阶平均读写功能

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⊙03-18 14:51

据外媒报道，受人工智能浪潮推动，2026年AI内存芯片需求预计将持续激增，三星电子正考虑将内存芯片合同转向多年期合约，计划从现行的季度或年度合同延长至三至五年，以稳定供应并缓解市场对关键组件短缺的担忧 。

⊙03-18 11:26

据外媒报道，三星一直向英伟达供应HBM4、SOCAMM2内存模块和PM1763 SSD，现在又通过增加Grok3 LPU芯片的生产，扩大了双方的合作，已确立了其作为下一代人工智能加速器平台所有领域核心合作伙伴的地位。三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片（最底层）采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

⊙03-17 14:50

在NVIDIA GTC 2026 大会上，三星全面展示了其在AI计算领域的技术布局，展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。三星首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps，带宽高达4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻。

⊙03-17 14:30

据外媒报道，韩国SK集团董事长崔泰源表示，由于人工智能驱动的需求持续超过供应，全球芯片晶圆短缺的情况可能会持续到2030年。在加州圣何塞举行的英伟达GTC大会间隙，崔泰源接受记者采访时表示，SK海力士正在考虑在美国上市ADR，以扩大其全球投资者基础；同时，其首席执行官可能会公布稳定DRAM芯片价格的计划，集团也正在探索替代能源。

⊙03-17 09:39

当地时间3月16日，美光在官网宣布公司已于2026年第一季度开始批量出货其HBM4 36GB 12H内存。该产品专为NVIDIA Vera Rubin平台设计，实现了超过11Gb/s的引脚速度，带宽超过2.8TB/s。相比其上一代HBM3E，带宽提升了2.3倍，能效提升超过20%。为了进一步提升HBM立方体的容量，美光将16颗HBM芯片堆叠在一起，并已向客户交付了HBM4 48GB 16H的样品。与HBM4 36GB 12H产品相比，每颗HBM芯片的容量提升了33%。

⊙03-16 10:08

美光近日宣布，已完成对力积电位于中国台湾苗栗县铜锣乡的P5晶圆厂收购案，交易金额18亿美元。该厂拥有约30万平方英尺12英寸晶圆厂无尘室，将用于支持美光扩大包括HBM在内的先进DRAM产品供应，以满足人工智能驱动的市场需求。美光计划于2026财年底前启动第二座晶圆厂建造工程，再增27万平方英尺无尘室空间，预计2028财年起可支持规模出货。力积电在移交设施的同时，将依约为美光提供HBM后段晶圆制造代工，并推进存储器制程技术合作。这一战略转型有望为力积电3D AI代工新事业注入强劲成长动能。

⊙03-13 17:53

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在评估将2nm工艺技术应用于第七代HBM4E的基片，从而提升其技术竞争力。这种涵盖存储器、逻辑和封装的架构正成为AI半导体时代的关键优势。

⊙03-13 16:35

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子（PINO）”的模型，能以比传统方法快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能。该研究成果已于6日在学术界发表。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

⊙03-12 17:35

群联旗下企业级应用品牌PASCARI博思锐已在电商平台开设店铺，首款上架产品为数据中心级SATA固态硬盘SA53P，搭载国产3D TLC NAND闪存。该产品采用标准2.5英寸外形规格，厚度7mm，拥有1DWPD的耐久等级，顺序读写速度分别可达530MB/s和500MB/s，随机读写性能分别为98K IOPS和39K IOPS，并提供5年有限保修服务。据悉，目前上架的PASCARI SA53P固态硬盘包含480GB/960GB/1920GB/3840GB四种容量版本。

⊙03-10 15:52

据外媒报道，三星电子正面临成立以来最大规模的罢工危机。由于薪资谈判最终破裂，代表约8.9万名员工（占公司总人数60%以上）的三星电子工会联合斗争本部宣布，将于3月9日至18日举行全员罢工投票，若投票通过，工会计划在4月23日举行成员集会，并于5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工。目前三星正全力为英伟达下一代AI加速器供应HBM4内存，5月的罢工节点极可能打乱出货节奏，导致良率下降或产出减少。

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