2083684000 http://www.micron.com/
2025-06-27 闪存芯片
2025-06-27 固态硬盘
2025-02-21 固态硬盘
2024-07-31 闪存芯片
2024-07-24 固态硬盘
英伟达宣布,NVIDIA Vera Rubin 平台正在全面投产,为全球智能AI工厂提供动力。来自NVIDIA供应链生态系统、遍布30个国家/地区的350多家(仅台湾就有150家)合作伙伴参与了Vera Rubin的生产。此外,据韩媒报道,黄仁勋在NVIDIA GTC台北大会表示Vera Rubin采用台积电的3纳米工艺和2.5D封装,搭载了美光、SK海力士和三星电子生产的HBM4显存。
当地时间6月1日,美股三大股指全线收涨。截至收盘,道琼斯工业指数涨幅0.09%,报51078.88点;标普500指数涨0.26%,报7599.96点;纳斯达克综合指数涨0.42%,报27086.81点。其中,大型科技股表现分化,英伟达涨超6%,微软涨超2%,高通跌超8%,亚马逊跌超3%,AMD、谷歌A、谷歌、苹果均跌超1%;存储板块集体收涨,美光涨超6%,希捷涨超4%,闪迪涨超3%,西部数据涨超2%。
Anthropic已完成总额为650亿美元的H轮融资,由阿尔蒂米特资本(Altimeter Capital)、德拉戈尼尔投资(Dragoneer)、格林奥克斯资本(Greenoaks)和红杉资本领投,投后估值达到9650亿美元,超越了其竞争对手OpenAI。美光、三星和SK海力士也参与了Anthropic的这轮融资。
当地时间5月28日,美股三大股指全线收涨。截至收盘,道琼斯工业指数涨0.05%,报50668.97点;标普500指数涨0.58%,报7563.63点;纳斯达克综合指数涨0.91%,报26917.47点。其中,大型科技股普遍收涨,高通、AMD涨超4%,微软涨超3%,亚马逊涨0.79%,英伟达涨0.58%,苹果涨0.53%,谷歌A、谷歌C分别涨0.33%、0.34%;存储板块多数收涨,闪迪涨超3%,希捷涨超1%,西部数据涨0.11%,美光跌0.53%。
当地时间5月27日,美股三大股指全线收涨,续创收盘历史新高。截至收盘,道琼斯工业指数涨幅为0.36%,报50644.28点;标普500指数涨幅为0.02%,报7520.36点;纳斯达克综合指数涨幅为0.07%,报26674.73点。其中,大型科技股多数收跌,高通跌超6%,英伟达、AMD跌超1%,微软跌0.81%,谷歌A跌0.01%,谷歌C基本持平,苹果涨0.82%,亚马逊涨超2%;存储板块集体收涨,美光涨超3%,希捷涨超2%,西部数据涨超1%,闪迪涨0.02%。
据CFM闪存市场数据显示,1Q26全球NAND Flash市场规模428.15亿美元,企业级SSD需求倍增并仍在加速,尽管消费类需求现疲软迹象,但不改整体供不应求的局面,1Q26 NAND ASP环比大增,推动一季度全球NAND Flash市场规模环比续增81.8%。具体来看,三星市场份额29.7%,排名第一;SK海力士市场份额17.6%,排名第二;铠侠市场份额14.9%,排名第三;闪迪市场份额13.9%,排名第四;美光市场份额11.7%,排名第五。
据CFM闪存市场数据显示,1Q26全球DRAM市场规模943.25亿美元,环比增长81.5%。数据中心需求激增已导致DRAM供应紧张,HBM占据大部分产能进一步挤占其他DRAM供给,推动Q1 DDR/LPDDR产品ASP大幅上涨,目前通用型DDR利润率已超过HBM。具体来看,三星市场份额为40.5%,SK海力士市占29.6%,美光市占19.9%,长鑫存储市占7.7%,南亚科技市占1.6%,华邦电子市占0.6%。
早盘存储芯片股大幅高开,截至发稿,大普微涨超8%,江波龙、佰维存储涨超5%,德明利涨超2%。消息面上,隔夜美股存储芯片板块集体走高,美光科技大涨超19%,总市值首次突破1万亿美元;闪迪涨超7%,西部数据涨超8%,希捷科技涨4%。
当地时间5月26日,美股三大股指涨跌不一。截至收盘,道琼斯工业指数跌0.23%,报50461.68点;标普500指数涨0.61%,报7519.12点;纳斯达克综合指数涨1.19%,报26656.18点。其中,大型科技股表现分化,AMD涨超7%,高通涨超4%,谷歌A、谷歌C均涨超1%,微软跌0.61%,亚马逊跌0.39%,英伟达跌0.22%,苹果跌0.16%;存储板块集体走高,美光涨超19%,西部数据涨超8%,闪迪涨超7%,希捷涨超4%。
据媒体报道,海盗船(Corsair)在其Vengeance DDR5内存模组中,首次采用了中国长鑫存储(CXMT)的DRAM颗粒。据悉,Corsair通常从美光科技采购芯片。而这款Corsair内存条型号为“CMK5X16G3E60C36A2”,是一款16GB的Vengeance DDR5-6000内存条。它支持DDR5-6000频率,读写速度为6000 MT/s,时序为CL36,工作电压为1.35V,并支持EXPO和XMP。
爱达荷州博伊西
深圳福田区金田路安联大厦4018号B座10F