三星电子李在镕：计划将光州作为新建半导体综合体的候选地，天安和温阳建设HBM晶圆厂

据韩媒报道，三星电子详细阐述了其价值2655万亿韩元的集团国内投资计划。该计划的核心是扩大全国范围内的生产基地，重点发展人工智能（AI）半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。据悉，三星正投资2030万亿韩元用于培育半导体产业集群，其中包括平泽园区和龙仁国家工业园区，并计划在湖南、忠清和岭南地区投资625万亿韩元，重点发展人工智能半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。具体来看，为积极应对湖南地区半导体市场爆炸式增长的需求，三星计划投资总计425万亿韩元，其中400万亿韩元将用于半导体领域的投资。三星电子正致力于在光州建设一座新的半导体制造厂，并打造一个基于数字孪生技术的创新中心。三星电子将在忠清地区投资总计140万亿韩元，其中关键项目是在天安和温阳建设高带宽内存（HBM）晶圆厂。三星计划在岭南地区投资60万亿韩元。该公司旨在通过将人工智能转型（AX）和机器人转型（RX）融入其核心制造领域，将其现有制造业转型为高科技产业。

据韩媒报道，三星电子董事长李在镕于29日在由李在明总统主持的“韩国大跃进三大工程国家简报会”上表示，因为预计光州能够提供包括电力、水、人力和基础设施在内的各种支持，三星在众多地区中计划将光州作为新建半导体综合体的候选地点。他还透露了投资AI存储器的计划，将集中投资于忠清地区的HBM晶圆厂，包括天安和温阳。此外，李在镕会长还表示，与机器人相关的投资将集中在庆尚北道龟尾市，三星SDI将主要投资于蔚山和巨济。三星电机还提出了扩大其半导体封装基板业务（以釜山工厂为中心）投资的计划，以及将投资集中到仁川松岛的生物业务，推动发展为世界上最大的生物综合体。

ASICLAND今天在官网宣布，已与SK海力士签署下一代 eSSD主控开发合同。该协议涵盖SK海力士下一代eSSD主控定制设计服务及后续开发阶段（包括流片支持）。ASICLAND将作为技术合作伙伴，利用其基于台积电先进工艺的ASIC设计和验证能力，支持SK海力士下一代产品的开发。合同金额约为319亿韩元（折合人民币约1.4亿元），有效期为2025年5月27日至2027年12月31日。

据韩媒报道，受炼油厂及石化厂开工率降低影响，半导体先进制程所需的高纯度二氧化碳（CO₂）供应趋紧，产业已拉响短缺警报。目前，行业整体库存已跌破常规的一个月安全水平（制造商与供应商通常各维持两周库存）。

数据显示，三星电子每月高纯CO₂消耗量约1800至2000吨，SK海力士则需600至700吨。尽管目前两大巨头尚未出现生产中断，但随着库存持续萎缩，企业正全力加紧采购。然而，即便提高采购单价，短期内也难以获取额外供货量。工业气体行业人士坦言：“由于原材料短缺，我们无法满足按需供应。从实际操作层面来看，短期内根本没有办法提高产量。”液化二氧化碳（CO2）价格较年初已上涨约20%。业界普遍认为，这种供需紧张的局面很可能会一直持续到年底。

晶圆代工厂世界先进董事长方略近日透露，8 英寸晶圆代工市场今年整体呈现供不应求的态势，目前看来客户需求将持续旺盛，当然重复下单的情况不可避免，订单能见度在 3~5 个月水平。该司与 NXP 以 6:4 合股在新加坡成立的VSMC晶圆厂一期首批 40nm 试产芯片已在本月初完成生产，测试结果良率超过 99%。该晶圆厂预计 2027Q1 正式量产，满载月产能 4.4 万片已全部售罄。

今日早间，韩国股市开盘后集体走低，三星电子盘中大跌超5%，SK海力士盘中跌幅一度逼近5%。受盘面剧烈波动影响，韩国交易所启动KOSDAQ指数熔断机制，暂停程序化交易买盘5分钟。日本股市亦大幅走低，铠侠股价跌超7%。消息面上，上周五美股存储概念股遭遇重挫，成为今日亚太市场承压的重要诱因。上周五美股多家存储芯片巨头股价重挫，其中西部数据跌超13%，希捷科技跌超12%，闪迪跌超10%，美光科技跌超6%。

据外媒援引知情人士消息，百度旗下 AI 芯片子公司昆仑芯（Kunlunxin）计划在香港上市，目标估值约为 500 亿美元。

应用材料公开了面向AI半导体使用的三维（3D）芯片制造设备产品线。该系列设备主要侧重于如高带宽存储器（HBM）、芯粒（Chiplet）、混合键合（Hybrid Bonding）等先进封装工艺所需的平坦化、沉积、和计量检测等。具体来看，本次公开的设备包括用于封装领域的先进化学机械抛光 (CMP)、电化学气相沉积 (ECD) 和等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备等，还新增了基于电子束的工艺控制设备，并升级了其用于DRAM工艺的外延设备。

据外媒报道，苹果正在重新评估中国内存供应商，以减轻内存芯片短缺和价格上涨带来的压力。据悉，苹果一个多月前就已与美国商务部、政府以及华盛顿其他部门联系，希望能够获得从中国内存供应商长鑫存储购买内存芯片的许可。

据韩媒报道，由于近期政府大力推动湖南地区半导体投资，传闻称龙仁半导体产业集群部分设施可能迁址。对此，龙仁市政府明确表示已直接与三星电子高层核实，龙仁半导体产业集群建设六座晶圆厂的计划没有改变，相关生产线不会迁至其他地区。目前，土地补偿进度已达80%左右，大部分补偿手续将于今年秋季完成。相关政府官员表示，最初的目标是在年底前开工建设，但根据内部情况或项目条件，工期可能会推迟。

纬创宣布，加码在中国台湾高雄、越南、马来西亚等兴建投资案，总金额为新台币107亿元（约合3.4亿美元），持续扩大AI服务器新产能布局，同时对美国加州子公司增资1.5亿美元，预计新增产能将有望在今年及明年陆续到位。

据外媒引述知情人士消息称，OpenAI 正考虑将首次公开募股 (IPO) 延后至2027年，坚持以最高1万亿美元估值上市，不愿为了提早挂牌而调降估值。 

高通与Meta宣布达成战略合作，高通技术公司将成为Meta数据中心多代CPU的供应商。Meta下一代服务器集群计划搭载高通技术公司的数据中心CPU——高通飞龙™ C1000。

据媒体报道，针对近期市场高度关注的内存及其他关键零部件涨价问题，联想集团执行副总裁、智能设备业务集团(IDG)总裁Luca回应称，已经锁定了充足供应，但公司无法完全免受成本上涨影响，因此涨价仍然构成挑战。此前消息称，联想自7月起将对全品类产品统一涨价，幅度与前期相当。

微星董事长徐祥表示，业界 RAM 内存和显卡短缺可能还会持续，但 CPU 的供应情况有望在第三季度逐步改善。但这也并不意味着产品终端价格会下降，更多只是“买得到”的概率提高。

三星电子近日发布《2026年可持续发展报告》，报告称，三星计划到2030年将HBM和服务器固态硬盘的能效分别提升2.5倍和4倍，从而为客户提供最佳的人工智能基础设施解决方案。

深圳市时创意电子股份有限公司创业板IPO申请已获受理，保荐机构为中信证券。时创意拟公开发行A股数量不超过1.16亿股，计划募集资金18.42亿元，募集资金将投向半导体存储器扩产、研发中心扩建及补充流动资金三个项目。

据报道，德明利宣布推出USB-C 5Gbps接口车载闪存盘TC301。据悉，德明利TC301基于128GB“精选”原厂TLC NAND闪存，顺序读写速率分别可达 320MB/s 和 255MB/s。此外，TC301支持 7×24 长时间循环录制和数据覆写，能满足多路视频流同时写入的性能要求，工作温度范围 -25~+85℃、存放温度范围 -45~+85℃。

据外媒报道，三星集团将于下周一公布一项为期十年的全面投资计划，承诺投资1000万亿韩元（折合人民币约4.4万亿元）以支撑韩国的下一个增长周期，包括可能投资300万亿韩元在韩国西南部建设芯片工厂。据悉，该投资将包括人工智能数据中心、电池和显示器，将在总统府与李在明总统会面时宣布，具体投资时间和其他细节尚未说明。

据pulse报道，SK海力士拟在韩国清州新建一座NAND闪存晶圆厂，以应对AI时代激增的芯片需求。若该计划最终落地，将是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。