美光6-8月预计营收达500亿美元,16份长协锁定千亿营收,供应紧缺局面延续至2027年后

财报分析 CFM闪存市场 CFM 2026-06-25 11:44

美光科技公布2026财年第三财季(截至2026年5月28日)财报。这份“王炸”成绩单不仅各项核心指标全面碾压华尔街预期,更通过颠覆性的长期商业模式,宣告存储行业正从传统的强周期赛道,蜕变为AI时代的高战略价值基础设施。受此利好刺激,美光盘后股价一度狂飙超16%。

量价齐升:AI需求引爆“超级周期”

财报显示,美光该财季实现营收414.56亿美元,同比大增346%,环比大增74%;Non-GAAP下,营业利润336.81亿美元,同比暴增12.5倍,环比增长105%;净利润288.57亿美元,同比暴增12.2倍,环比增长106%。调整后每股收益(EPS)达25.11美元,远超分析师预期的20.49美元;调整后毛利率达84.9%。

数据来源:美光,FY2026Q3财季为2026年3-5月,图表制作:CFM闪存市场

这一盈利爆发的核心逻辑在于“定价权”的回归。

从产品端来看,DRAM单季营收达313亿美元,环比增长67%,NAND Flash营收达99亿美元,环比增长99%,两条产品线同步爆发。值得注意的是,该季度收入的大幅增长并非单纯依赖出货量的扩张——DRAM和NAND的bit出货量仅实现低个位数及中个位数增长,但ASP(平均售价)却环比分别大涨60%和80%以上。

AI服务器对HBM、服务器DDR5及企业级SSD的旺盛需求,叠加晶圆厂与先进封装产能扩张的滞后性,使得供给端难以立即响应,价格涨幅显著跑赢出货量增长。

分业务来看,云存储、核心数据中心、移动与客户端、汽车与嵌入式四大板块毛利率均突破79%。其中,云存储营收环比增长78%至137.69亿美元,占比(33%)居首位;核心数据中心业务毛利率高达87%,营收环比增长103%,AI相关业务已成为绝对的利润引擎。

指引再超预期:供应紧缺将延续至2027年后

比当期业绩更令市场振奋的,是美光对第四财季(2026年6-8月)及未来的强劲指引。美光预计第四财季营收将进一步升至490亿美元至510亿美元(市场预期仅约432亿美元),调整后EPS约31美元,毛利率约86%。


来源:美光

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报电话会上明确表示,AI驱动的结构性供需失衡不会在短期内消失。当前DRAM的库存依然紧张,周转天数已降至120天以下。行业供应商正将有限的洁净室空间从NAND转向DRAM,加上整体洁净室空间有限,将直接制约NAND bit供应的增长。

数据来源:美光,FY2026Q3财季为2026年3-5月,图表制作:CFM闪存市场

DRAM方面,2026年行业DRAM bit出货量预计同比增长20%-25%,美光自身DRAM供应增速与行业大致同步。NAND方面,2026年行业NAND bit出货量预计同比增长约20%,美光供应增速略低于行业。

美光预计DRAM和NAND的供需状况将在2027年以后继续保持紧张。受限于新建晶圆厂漫长的建设周期、关键技工短缺、复杂的法规审批以及HBM对常规产能的持续挤压,行业供应紧张的局面预计将持续至2027年之后,直到2028年才会逐步改善。这意味着,AI基础设施建设周期将比市场此前预期的更为漫长。

商业模式重塑:16份长协锁定千亿营收

面对持续的高景气,美光正计划通过“战略客户协议(SCA)”彻底改写存储行业的周期宿命。美光宣布已与数据中心、消费电子、汽车等领域的16家客户签署长期供货协议,通用协议5年(2026-2030),汽车协议3年。

这些协议采用“照付不议”模式,不仅锁定了美光约20%的DRAM出货量和三分之一的NAND出货量,还通过设置价格上下限和收取客户保证金,将库存风险部分转移给下游。美光CEO在电话会中多次强调,SCA保底价的毛利率远超历史任何周期的季度峰值,并表示未来技术迭代和新厂产能爬坡将推高DRAM单位成本,但SCA为客户接受溢价提供保障。

据披露,14份协议按最低价格计算,对应剩余期限累计保底收入约1000亿美元;客户合计提供了约220亿美元的财务承诺(含约180亿美元现金存款)。美光预计,当所有计划中的协议落地后,公司至少一半的收入将处于此类长期安排之下,极大提升了未来盈利的可见度与确定性。

产能狂飙:资本开支加码,HBM4加速放量

为满足难以填满的需求,美光正以前所未有的力度扩充产能。美光预计第四财季资本开支约100亿美元,2026财年全年资本开支约270亿美元,且2027财年各季度资本开支将进一步提升,其中超一半增量将用于洁净室与厂房建设。

美光已与ASML锁定长单,同步规划厂房建设与设备交付节奏,避免产能闲置。

具体产能落地进度:

爱达荷州ID1预计于2027年年中产出首批晶圆,ID2预计于2028年底;

台湾新收购的铜锣厂预计现有的300,000平方英尺晶圆厂将在2027年年中支持有意义的产品出货,较此前预期提前约一个季度;

新加坡厂区预计从2027年上半年开始对HBM封装产能做出重大贡献。

在技术端,美光的HBM4已面向主要客户大批量出货,累计交付收入超10亿美元,且12层产品的量产爬坡速度是上一代HBM3E的两倍。1γ DRAM节点和G9 NAND节点都在顺利爬坡,有望成为美光产量最高的节点。下一代HBM4E及全新DRAM/NAND节点也计划在2027年下半年进入规模量产。

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