据韩媒报道，SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉，为实现高堆叠NAND而增加的HARC蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因素。传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻，通过键合工艺连接起来，而AIP可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存一次性进行HARC蚀刻，将显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产，预计从下一代NAND闪存（例如V11）开始，HARC工艺的数量和成本将显著降低。
2月11日，全球存储板块普遍回调，A股、港股、韩股小幅收跌，美股存储股跌幅显著，整体呈现前期涨幅后的技术性整理态势。 A股市场，澜起科技收169.90元，跌4.28%；兆易创新收284.59元，跌1.83%；江波龙收284.14元，跌1.47%；佰维存储收159.00元，跌1.25%。港股方面，澜起科技收174.50港元，跌1.52%。 韩股市场，三星电子跌0.8%，SK海力士跌1.2%。美股市场（2月10日收盘），西部数据跌8.65%，希捷科技跌6.77%，闪迪跌7.16%，美光科技跌2.67%。
中芯国际联席CEO赵海军在2025Q4财报电话会议上表示，消费电子领域的存储器供应预计在2026年第三季度逐步转好，届时消费级存储器价格临近高点、渠道库存开始释放，消费电子及中低端手机市场有望迎来行情反转；而AI数据中心存储器的缺货局面仍将持续数年，瓶颈主要在后端环节，包括HBM制造、封装及成品测试能力，产能提升需前后端协同且周期较长，在AI产业推动下业者希望1至2年内建成未来10年所需基础设施，庞大需求难以快速消化。
2026年2月11日，韩国产业通商资源部在AI半导体核心企业成长战略座谈会上宣布，计划投资4.5万亿韩元（约合216亿元人民币）建设一座12英寸40nm工艺晶圆厂，旨在解决本土无晶圆厂（Fabless）企业代工产能短缺问题，支持其研发与商业化。同时，政府将联合三星晶圆代工提供IP共享、MPW服务，并设立2万亿韩元（约合96亿元人民币）专项账户、未来五年投入1万亿韩元（约合48亿元人民币）推动AI半导体开发，以及在首都圈外培养专业人才，全方位强化半导体产业竞争力。
2月11日，晶晨股份发布2025年度业绩快报，2025年全年营业收入约67.93亿元，同比增加14.63%；归属于母公司所有者的净利润约8.71亿元，同比增加6%；全年营收和归母净利润均创历史新高。预计2026年第一季度公司营收将实现 10%~20%的同比增长，2026 年全年公司营收将实现 25%~45%的同比增长，具体业绩存在一定不确定性。
据三星电子首席技术官宋载赫透露，三星目前正在开发 zHBM，其核心是将 HBM 堆叠成 3D 结构，有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。
受半导体强劲需求的推动，韩国2月份前10天的出口额比上年同期增长44.4%，达213.9亿美元。其中，半导体出口额同比增长137.6%，达到67.3亿美元，占出口总额的31.5%，比去年同期增长 12.3 个百分点。
华邦电子公布2025全年营运表现，2025年合并营收为894.06亿元（新台币，下同），同比增长9.55%，主要受惠于需求端结构调整带动内存产品价格上升影响，营业毛利率为35%，归属母公司税后净利为39.62亿元。
据业界消息，字节跳动正在研发人工智能芯片，并与三星电子洽谈代工事宜，旨在确保获得先进处理器供应，计划3月底前收到芯片样品。字节跳动计划今年生产至少10万片用于AI推理任务的芯片并逐步提产至35万片，谈判还涉及获取供不应求的存储芯片供应。字节跳动发言人在一份声明中表示芯片项目相关信息不准确但未进一步说明，三星则拒绝置评。
近日，英特尔首次公开其与软银子公司Saimemory共同研发的“Z-Angle Memory”（ZAM）内存原型，采用错位互连拓扑结构（staggered interconnect topology），在芯片堆叠内部实现对角线走线。英特尔称，这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存解决方案面临的散热瓶颈，并大幅优化计算性能。据悉，其功耗相比现有方案降低40% 至 50%，单芯片存储容量最高可达 512GB。
据业界消息，芝奇（G.Skill）已就一起集体诉讼达成和解，同意支付240万美元以解决对其“内存速度虚假宣传”的指控。该诉讼的核心争议在于，消费者指称芝奇在其DDR4与DDR5台式机内存的宣传中存在误导，用户购买时普遍认为内存产品插入电脑后无需额外调整即可达到标称的高速运行效果，但实际使用中却并非如此。
代工厂和硕1月营收921.58亿元新台币，环比减少7.74%，同比减少12.50%。和硕表示，1月营收下滑主要是受传统消费性电子淡季影响。展望后市，受2月农历春节假期影响，预计和硕首季业绩将呈现季减、年减走势。
据日媒报道，日本半导体公司 Rapidus 计划在 2027 财年下半年开始生产 2nm 制程芯片、2028 财年开始正式生产。其初期月产能设定为 6000 片晶圆，目标在量产启动后约一年内将产能提升至约 2.5 万片，实现四倍增长。
Counterpoint Research报告称， 2025 年全球智能手机活跃设备存量同比增长 2%，换机周期延长至近四年。目前全球已有八家智能手机厂商的活跃设备存量超过 2 亿台，这八大品牌合计占据了全球超过 80% 的活跃设备份额，苹果与三星展现出断层式的领先优势。
三星于官网正式宣布，Galaxy Unpacked发布会将于2月25日在美国加利福尼亚州旧金山举办，线上直播将于美国东部时间下午1点，即北京时间2月26日凌晨2点开始。届时，三星Galaxy S26系列三款机型Galaxy S26、Galaxy S26+以及Galaxy S26 Ultra将正式发布。
当地时间2月10日，美股三大指数涨跌不一。截至收盘，道琼斯指数涨0.1%，报50188.14点，再创历史新高；纳斯达克指数跌0.59%，报23102.47点；标普500指数跌0.33%，报6941.81点。其中，高通涨0.83%，微软跌0.08%，苹果跌0.34%，英伟达跌0.79%，亚马逊跌0.84%，AMD、谷歌A、谷歌C跌超1%，美光跌超2%，希捷跌超6%，闪迪跌超7%。
CFM闪存市场最新数据显示，DDR5 64GB合约价格落在820至950美元区间，DDR5 96GB合约价格落在1310至1600美元区间，DDR5 128GB落在2100至2400美元区间，相比上季度价格涨幅高达80%-120%。而服务器DDR5内存条现货价格相对于合约价更高，服务器64GB/96GB/128GB DDR5内存条现货价格分别在2200至2500美金、3800至4000美金、4200至4300美金之间。
今日Flash Wafer价格全面上涨，1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb TLC、256Gb TLC价格分别调涨至24.00/25.00/20.00/11.00美元，与11月初相比，近一个季度涨幅均高达两倍左右。
日月光投控1月自结合并营收599.88亿元（新台币，下同），较2025年12月增加1.9%，比去年同期成长21.3%，创历年同期新高。其中，封装测试及材料业务营收376.39亿元，月增0.1%、年增33.8%。日月光投控预估今年在先进封测（LEAP）营收将较2025年的16亿美元倍增至32亿美元，今年先进封测全制程相关营收目标年成长3倍，到今年底占整体先进封测业务比重到10%，今年成品测试（FT）占测试业务比重目标至10%。
2月9日，澜起科技（HK:06809）正式在香港联合交易所主板挂牌上市，中金公司、摩根士丹利、瑞银集团担任本次上市的联席保荐人。该股开盘即大涨57%，总市值达2036.7亿港元。当前AI领域需求旺盛，带动公司互连类芯片出货量显著增加，推动其2025年度经营业绩较上年同期实现大幅增长，为其股价表现提供了强劲支撑。2月10日，该股呈现小幅震荡后稳步收涨态势，截至收盘报177.2港元，较前一交易日上涨1.26%，总市值达2148.22亿港元，延续了上市首日的积极态势。
CFM发布最新服务器DDR5内存条价格，相较上季度涨幅超过100%
