消息称三星电子正开发 4~2nm 定制 HBM 基础裸片解决方案

存储器 2026-01-21 18:01

据韩媒报道,三星电子将在 HBM4 后的定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略,提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm 的一系列基础裸片 (Base Die) 解决方案。作为对比,台积电计划为定制 HBM 基础裸片导入 N3P 制程(第二代3nm工艺)。

简讯快报

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