除了特斯拉,三星电子和SK海力士还在为谷歌、Meta和微软等美国大型科技公司开发定制的HBM4芯片,这些公司一直在寻求降低对英伟达AI芯片的依赖。

群联电子于2023年开始筹备 ISO/SAE 21434 认证,约一年内完成认证流程。

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MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性,采用与常规 RDIMM 相同的连接器和外形尺寸,仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置,即可实现升级,无需对主板进行任何改动。

NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备,旨在加速开发下一代存储器半导体,例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外,还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。

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目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM(HBM4)中,引入无助焊剂键合技术。其中,美光动作最为积极,已开始与合作伙伴测试新制程;SK海力士正在评估无助焊剂键合技术;三星电子也正在密切关注相关技术。

对于上述消息,英伟达发言人回应称,公司正与顶尖云端服务供应商合作,工程方面的调整「正常且符合预期」。

展望全年,预计台湾地区今年半导体总产值将达新台币5.3兆元,成长22%;IC制造业产值可望成长27.5%,IC设计业将成长16.5%,IC封装业成长8.6%,IC测试业成长5.2%。

威刚财报显示,截至今年第三季底为止,威刚库存金额达169亿元(新台币,下同),相较于第2季底的179亿元已有降低,相当于DRAM库存约4~5个月,NAND则处于安全水位,库存水位约10周,由于需求没有增加,也没有出现紧急订单,将继续控制库存水平,以减少不必要的库存积压。

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目前其具体计划,如晶圆厂引进设备或追加投资方向等尚未透露,但预计最早可应用于0a(个位数纳米级)DRAM产品的量产。

ASML预计美国将继续加大压力,进一步限制向中国的销售。明年中国市场的销售额将占到公司总收入的20%左右,而第三季度中国市场的销售额几乎占到一半。

近日,由证券之星主办的2024资本力量年度品牌活动评选结果揭晓,深圳佰维存储科技股份有限公司(证券代码:688525)荣获“优秀上市公司奖”、“卓越董秘奖”两项殊荣。

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佰维已推出包括企业级PCIe 4.0/5.0 NVMe SSD、企业级SATA SSD、企业级RDIMM、CXL 2.0内存扩展模块在内的多款性能出色、高稳定和高安全性的产品,覆盖 2.5inch, U.2, E1.S, E3.S 等产品形态,以及PCIe、SATA两大主流接口,实现技术创新与产品品类的双重突破。

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佰维特存推出工业宽温级ECC SODIMM内存条,精选宽温颗粒,数据速率达3200Mbps,容量覆盖4GB~16GB。产品通过抗硫化与稳定性测试,从容应对高温、低温、高湿度、强震动等恶劣环境,满足电力设备、电信设备、工控机、轨道交通、自助终端、医疗设备等场景对数据可靠、稳定存储的需求。

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由于AI服务器投资增加,对HBM等高附加值产品的需求增加,韩国存储器半导体与去年同月相比大幅增长,出口总额73.9亿美元,比上年增长63.9%,较9月的87亿美元,环比下降15%。

AMD此次裁员是为了确保AMD在其增长最快的领域拥有必要的技能,包括其数据中心运营,特别是AI处理器。目前尚不清楚AMD哪个业务部门将首当其冲受到裁员的影响。

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