据韩媒报道,韩国将向国家级半导体封装技术研发项目投入 2744 亿韩元(约合2亿美元),该技术是生产人工智能应用所必需的高性能、低功耗芯片的关键。

据韩媒报道,三星电子寻求从国有韩国产业银行借款至多5万亿韩元(约合36亿美元),为其在韩国和海外建设更多芯片生产设施的项目提供资金。

关系人士称,铠侠会在8月底提交正式申请、目标10月底上市,而为了赶上期限、正以比一般IPO更快的速度进行准备,但视进度而定、IPO时间有可能会推延至12月。铠侠此次IPO所能筹得的资金可能会低于2020年的预估值。

美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E。三星也使用相同的工艺。TC-NCF 似乎很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。据悉,HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。

三星电子和 SK 海力士首先对之前发布的产品进行测试。预计测试结果将反映在未来下一代产品的开发中,并发布具有浸入式冷却保证的产品。

韩国工业部将在2025年至2031年期间投资2744亿韩元(约合2亿美元)用于半导体封装技术研发项目,目标是增强高带宽内存芯片等尖端产品的竞争力。

据韩媒报道,业界人士透露,韩国NAND闪存材料供应商供应量较去年增加了约2-3倍。去年,由于需求低迷,三星电子和SK海力士将NAND工厂的开工率降至20-30%,受AI数据中心对大容量NAND需求的推动,今年开工率已上升至70%以上。

金士顿已在最新的 Intel 平台上对上述产品进行了广泛测试,例如第 14 代酷睿“Raptor Lake Refresh”,以确保与宣传的 XMP 速度兼容。

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轨道设备用于芯片生产的光刻工艺,其中光刻胶沉积在晶圆上,当暴露在光线下时,光刻胶就会被绘制成电路图案。

作为该基础设施的首个成果,三星本月成功验证了其CMM-D产品,这也是三星在业界首例。三星还可以在早期开发阶段优化产品,从而为客户提供定制化解决方案。

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今年上半年整体市况较压抑,预期在需求递延下,应会削弱第四季营收下降的传统季节性影响,预估今年第四季可望与第三季持平,而上下半年营收比重则应会以4:6表现。

随着三星电子和SK海力士提升其高带宽内存(HBM)产量,韩国半导体设备公司的热压键合机订单量迅速增加。热压键合机对HBM生产至关重要,能显著影响HBM的产量。

随着GDDR7显存技术的发展,三星电子、SK海力士和美光科技正在激烈竞争,以期在新一代高性能显存市场中占据领导地位。这三家公司均在积极研发,以期提供更高性能、更低功耗的GDDR7产品,满足日益增长的高性能计算和图形处理需求。

新思科技(Synopsys)近日宣布推出业界首款PCIe 7.0 IP解决方案,该方案包含控制器、IDE安全模块、PHY和验证IP,旨在满足计算密集型AI工作负载的带宽和延迟需求,同时支持广泛的生态系统互操作性。新思科技的PCIe 7.0技术在PCI-SIG DevCon大会上进行了全球首次演示,展现了其在数据中心AI芯片设计领域的领导地位。

三星电子正计划恢复位于平泽的新半导体工厂“P5”的基础建设。随着半导体行业的复苏正式开始,这被解读三星为扩大产能以应对需求增加的措施。

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