韩国科技巨头三星集团预计在7月8日迎来其历史上最大规模的罢工活动,数千名工人计划参与为期三天的罢工。这一行动可能会影响全球芯片供应链,并在整个科技产业中引发连锁反应。

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SK海力士正在将利川M10工厂部分产线转换为HBM,改建面积约3,300平方米,预计最快于2025年初设置符合HBM生产标准的无尘室,并引进各式设备。

韩美半导体将在今年下半年推出‘2.5D Big Die TC Bonder’这是采用2.5D封装的系统半导体的键合设备;“Mild Hybrid Bonder”将于明年下半年上市,可显著提高现有HBM键合设备的性能;“混合键合机”也正在开发中,目标是在 2026 年下半年推出。

DISCO表示,就精密加工设备的出货情况来看,来自生成式AI相关的需求持续稳健。

以应用领域来看,车用及工业所需半导体现仍处于修正期,短期内相对表现较弱,但中长期仍是非常重要的成长动能。其他如通讯、消费性电子应用下半年确实会比上半年好。

十铨认为,DDR4产品因第三季零售渠道需求看季持平,预期将维持现有价格水准,而DDR5由于原厂供给量不足,价格仍会持续微幅上扬。

三星电子公布2024 年第二季度的盈利预测:预计合并销售额约74万亿韩元(约合536.7亿美元),环比增长2.89%,同比增长23.3%;综合营业利润约10.4万亿韩元(约合75.4亿美元),环比增长57.3%,同比大涨14.5倍。

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新的 HBM 开发团队预计将解决稳定产量和开发差异化技术的任务,以确保人工智能 (AI) 半导体等关键客户。

受益于AI发展带动对存储容量的需求增长,预计在2024财年(至2025年3月为止)期间,日本芯片制造设备的销售额将增长15%。

业内人士表示,“在高带宽内存(HBM)市场上失利的三星电子正在对CXL进行大量投资。三星电子已经制定了在CXL 3.0时代占据主导地位的计划。”

Moon Ki-il还表示,HBM目前主要应用于人工智能(AI)系统,但目标也将扩展到移动设备。

南亚科技总经理李培瑛此前于股东会上表示,今年存储产业复苏关键因素在于AI服务器动能带动HBM需求大增,但HBM制造困难、良率低,会消耗较多产能,进而促进库存消化,目前市况将逐季好转。

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据日媒报道,铠侠7月将在四日市工厂开始量产其最先进的218层 3D NAND Flash,与现行产品相比,存储容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。

伴随着网联化与电动化的发展,汽车的EE(Electrical/Electronic Architecture)架构正从域控架构向中央计算架构演进,存储芯片的价值随之提升。

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